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    METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
    51.
    发明申请
    METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20120142179A1

    公开(公告)日：2012-06-07

    申请号：US13287345

    申请日：2011-11-02

    申请人： Jongchul PARK ,  Jong-Kyu Kim ,  Ki-jin Park ,  Sangsup Jeong

    发明人： Jongchul PARK ,  Jong-Kyu Kim ,  Ki-jin Park ,  Sangsup Jeong

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/30

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/90

    摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes forming a lower film including a cell region and a peripheral circuit region, forming a first sacrificial film on the lower film, the first sacrificial film having trenches in the cell region, forming a second sacrificial pattern on the first sacrificial film, the second sacrificial pattern having line-shaped patterns spaced apart from each other and crossing the trenches in the cell region, and the second sacrificial pattern covering a top surface of the first sacrificial film in the peripheral circuit region, and patterning the first sacrificial film to form upper holes in portions of the trenches exposed by the second sacrificial pattern.

    摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：形成包括单元区域和外围电路区域的下膜，在下膜上形成第一牺牲膜，第一牺牲膜在单元区域中具有沟槽，在第二牺牲膜上形成第二牺牲图案 第一牺牲膜，第二牺牲图案具有彼此间隔开并与电池区域中的沟槽交叉的线状图案，并且第二牺牲图案覆盖外围电路区域中的第一牺牲膜的顶表面，并且图案化 第一牺牲膜，以在由第二牺牲图案暴露的部分沟槽中形成上孔。