公开(公告)号：US07543525B2

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：US11637439

申请日：2006-12-12

Applicant: Baojian Tao ,  Liu Yang

Inventor： Baojian Tao ,  Liu Yang

IPC: F15B9/10 ,  F01B31/12

CPC classification number: F16D48/04 ,  F16D2048/0266 ,  F16D2300/18 ,  F16D2500/1022 ,  F16D2500/1026 ,  F16D2500/10412 ,  F16D2500/3022 ,  F16D2500/30401 ,  F16D2500/5128 ,  F16D2500/70404 ,  F16D2500/7041 ,  F16D2500/7101

Abstract: A clutch booster usable for an automobile having a clutch. In one embodiment, the clutch booster includes a booster member coupled with the clutch for engaging or disengaging the clutch from the engine of the vehicle in response to a force applied to the clutch of the vehicle and means for determining the status of the clutch of the automobile.

Abstract translation: 一种用于具有离合器的汽车的离合器助力器。 在一个实施例中，离合器助力器包括与离合器联接的助力构件，用于响应于施加到车辆离合器的力而使离合器与车辆的发动机接合或脱离，并且用于确定离合器的离合器的状态的装置 汽车。

公开(公告)号：US20090137100A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：US12272886

申请日：2008-11-18

Applicant: Manchao Xiao ,  Liu Yang ,  Thomas Richard Gaffney

Inventor： Manchao Xiao ,  Liu Yang ,  Thomas Richard Gaffney

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/45531 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45553

Abstract: The present invention is a process of making a germanium-antimony-tellurium alloy film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silyltellurium precursor is used as a source of tellurium for the alloy film and is reacted with an alcohol during the deposition process.

Abstract translation: 本发明是使用选自原子层沉积和化学气相沉积的方法制造锗 - 锑 - 碲合金膜的方法，其中甲硅烷基碲前驱物被用作合金膜的碲源，并且是 在沉积过程中与醇反应。

公开(公告)号：US06452757B1

公开(公告)日：2002-09-17

申请号：US09523296

申请日：2000-03-10

Applicant: Liu Yang ,  Helen Chung ,  Jumna Ramdular

Inventor： Liu Yang ,  Helen Chung ,  Jumna Ramdular

IPC: G11B539

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/332 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3967

Abstract: A data transfer head includes a data transfer element for transferring date between the data transfer head and a data storage medium and a dielectric gap electrically shielding the data transfer element. The dielectric gap includes a plurality of layered dielectric film wherein adjacent dielectric films are formed of different dielectric materials. A method of forming a magnetoresistive sensor includes forming a thin film data transfer element and forming a dielectric gap to electrically shield the data transfer element. Forming the dielectric gap includes depositing a number of adjacent dielectric films on an underlayer and depositing a second dielectric film on the first dielectric film. The second dielectric film being different from the first dielectric film.

Abstract translation: 数据传送头包括用于在数据传送头和数据存储介质之间传送日期的数据传送元件和电屏蔽数据传送元件的介质间隙。 电介质间隙包括多个层状电介质膜，其中相邻的电介质膜由不同的电介质材料形成。 形成磁阻传感器的方法包括形成薄膜数据传送元件并形成介电间隙以电屏蔽数据传输元件。 形成电介质间隙包括在底层上沉积多个相邻的电介质膜并在第一介电膜上沉积第二电介质膜。 第二电介质膜不同于第一电介质膜。