公开(公告)号：US06449132B1

公开(公告)日：2002-09-10

申请号：US09522517

申请日：2000-03-10

申请人： Liu Yang ,  Jumna Ramdular ,  Sara L. Gordon ,  Ralph D. Knox ,  John E. Dzarnoski

发明人： Liu Yang ,  Jumna Ramdular ,  Sara L. Gordon ,  Ralph D. Knox ,  John E. Dzarnoski

IPC分类号： G11B539

CPC分类号： G11B5/3903 ,  G11B5/3109

摘要： A silicon nitride dielectric film for use in an MR head according to the present invention comprises from about 38% to 44% by volume of Si, from about 35% to 37% by volume of N, and from about 21% to 24% by volume of H. The dielectric film is formed by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at relatively low temperatures. A plurality of gases capable of reacting to form silicon nitride are introduced into a PECVD reactor. An electric field is generated in the reactor to produce a plasma. The gases in the reactor react in the presence of the electrical field to form a silicon nitride dielectric film.

摘要翻译： 根据本发明的用于MR磁头的氮化硅电介质膜包含约38％至44体积％的Si，约35％至37体积％的N和约21％至24％的 电介质膜通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）在较低温度下形成。 将能够反应形成氮化硅的多种气体引入PECVD反应器。 在反应器中产生电场以产生等离子体。 反应器中的气体在存在电场的情况下反应形成氮化硅电介质膜。

公开(公告)号：US06452757B1

公开(公告)日：2002-09-17

申请号：US09523296

申请日：2000-03-10

申请人： Liu Yang ,  Helen Chung ,  Jumna Ramdular

发明人： Liu Yang ,  Helen Chung ,  Jumna Ramdular

IPC分类号： G11B539

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/332 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3967

摘要： A data transfer head includes a data transfer element for transferring date between the data transfer head and a data storage medium and a dielectric gap electrically shielding the data transfer element. The dielectric gap includes a plurality of layered dielectric film wherein adjacent dielectric films are formed of different dielectric materials. A method of forming a magnetoresistive sensor includes forming a thin film data transfer element and forming a dielectric gap to electrically shield the data transfer element. Forming the dielectric gap includes depositing a number of adjacent dielectric films on an underlayer and depositing a second dielectric film on the first dielectric film. The second dielectric film being different from the first dielectric film.

摘要翻译： 数据传送头包括用于在数据传送头和数据存储介质之间传送日期的数据传送元件和电屏蔽数据传送元件的介质间隙。 电介质间隙包括多个层状电介质膜，其中相邻的电介质膜由不同的电介质材料形成。 形成磁阻传感器的方法包括形成薄膜数据传送元件并形成介电间隙以电屏蔽数据传输元件。 形成电介质间隙包括在底层上沉积多个相邻的电介质膜并在第一介电膜上沉积第二电介质膜。 第二电介质膜不同于第一电介质膜。