公开(公告)号：US06825079B2

公开(公告)日：2004-11-30

申请号：US10394932

申请日：2003-03-21

申请人： Martin Popp

发明人： Martin Popp

IPC分类号： H01L218242

CPC分类号： H01L21/763 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/10861

摘要： In order to form an oxide cover on a conductive filling in a trench in a semiconductor substrate an HDP oxide is deposited on the conductive filling using a PECVD method. In this case, the layer thickness on the horizontal surface of the conductive material is greater than the layer thickness on the sidewalls of the trench. Furthermore, the layer thickness is limited in such a way that the surface of the HDP oxide within the trench has a depth with respect to the surface of the semiconductor substrate surrounding the trench, or a layer disposed thereon. In a subsequent CMP step, the HDP oxide is removed from the surrounding surface. In an isotropic etching step, the HDP oxide is removed from the sidewalls. The result is a horizontal insulation layer with a layer thickness that varies only to a slight extent over the semiconductor substrate.

摘要翻译： 为了在半导体衬底的沟槽中的导电填充物上形成氧化物覆盖层，使用PECVD方法将HDP氧化物沉积在导电填料上。 在这种情况下，导电材料的水平表面上的层厚度大于沟槽侧壁上的层厚度。 此外，层厚度受到限制，使得沟槽内的HDP氧化物的表面相对于围绕沟槽的半导体衬底的表面或其上设置的层具有深度。 在随后的CMP步骤中，从周围表面去除HDP氧化物。 在各向同性蚀刻步骤中，从侧壁去除HDP氧化物。 结果是具有在半导体衬底上仅稍微变化的层厚度的水平绝缘层。

公开(公告)号：US06740595B2

公开(公告)日：2004-05-25

申请号：US10122996

申请日：2002-04-12

申请人： Stephan Kudelka ,  Helmut Tews ,  Alexander Michaelis ,  Uwe Schroeder ,  Martin Popp ,  Kristin Schupke ,  Daniel Koehler

发明人： Stephan Kudelka ,  Helmut Tews ,  Alexander Michaelis ,  Uwe Schroeder ,  Martin Popp ,  Kristin Schupke ,  Daniel Koehler

IPC分类号： H01L21311

CPC分类号： H01L27/1087 ,  H01L21/30604 ,  H01L27/10829 ,  H01L29/66181

摘要： A method for eching a recess in a polysilicon region of a semiconductor device by applying a solution of NH4OH in water to the polysilicon.

摘要翻译： 一种通过将NH 4 OH溶液施加到多晶硅中来捕获半导体器件的多晶硅区域中的凹陷的方法。