公开(公告)号：US06887762B1

公开(公告)日：2005-05-03

申请号：US09831539

申请日：1999-11-05

申请人： Anand S. Murthy ,  Robert S. Chau ,  Patrick Morrow ,  Chia-Hong Jan ,  Paul Packan

发明人： Anand S. Murthy ,  Robert S. Chau ,  Patrick Morrow ,  Chia-Hong Jan ,  Paul Packan

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： Microelectronic structures embodying the present invention include a field effect transistor (FET) having highly conductive source/drain extensions. Formation of such highly conductive source/drain extensions includes forming a passivated recess which is back filled by epitaxial deposition of doped material to form the source/drain junctions. The recesses include a laterally extending region that underlies a portion of the gate structure. Such a lateral extension may underlie a sidewall spacer (108) adjacent to the vertical sidewalls of the gate electrode (106), or may extend further into the channel portion of a FET such that the lateral recess underlies the gate electrode portion of the gate structure. In one embodiment the recess is back filled by an in-situ epitaxial deposition of a bilayer of oppositely doped material. In this way, a very abrupt junction is achieved that provides a relatively low resistance source/drain extension and further provides good off-state subthreshold leakage characteristics. Alternative embodiments can be implemented with a back filled recess of a single conductivity type.

摘要翻译： 体现本发明的微电子结构包括具有高导电性的源极/漏极延伸的场效应晶体管（FET）。 形成这种高导电的源极/漏极延伸部分包括形成钝化的凹槽，其通过掺杂材料的外延沉积而填充以形成源极/漏极结。 凹部包括在栅极结构的一部分下面的横向延伸的区域。 这种横向延伸部可以位于与栅电极（106）的垂直侧壁相邻的侧壁间隔物（108）的下面，或者可以进一步延伸到FET的沟道部分中，使得侧向凹槽位于栅极结构的栅电极部分 。 在一个实施例中，通过相对掺杂材料的双层的原位外延沉积来将凹部反向填充。 以这种方式，实现了非常突然的结，其提供相对较低的电阻源极/漏极延伸并进一步提供良好的截止阈值泄漏特性。 替代实施例可以用单导电类型的后填充凹槽来实现。