公开(公告)号：US5156884A

公开(公告)日：1992-10-20

申请号：US638016

申请日：1991-01-07

申请人： Katsuya Tanitsu ,  Muneo Nakayama ,  Akira Hashimoto ,  Toshihiro Nishimura

发明人： Katsuya Tanitsu ,  Muneo Nakayama ,  Akira Hashimoto ,  Toshihiro Nishimura

IPC分类号： C23C18/14

CPC分类号： C23C18/14

摘要： The inventive method comprises the steps of coating the substrate surface with a coating solution containing .beta.-diketone complex of a metallic element in an aprotic polar solvent, drying and irradiating the coating film on the surface with ultraviolet light, optionally, followed by a heat treatment to form an electrically insulating oxidized metal film on the surface. By virtue of the ultraviolet irradiation, the oxidized metal film can be imparted with increased insulation even by omitting the heat treatment or by decreasing the temperature of the heat treatment so that the adverse influences on the characteristics of the substrate can be minimized.

摘要翻译： 本发明的方法包括以下步骤：在非质子极性溶剂中用含有金属元素的β-二酮配合物的涂布溶液涂覆基材表面，然后用紫外线干燥并在表面上照射涂膜，然后进行热处理 以在表面上形成电绝缘的氧化金属膜。 通过紫外线照射，即使省略热处理，也可以通过降低热处理的温度，能够赋予氧化金属膜更高的绝缘性，从而可以使对基板的特性的不利影响最小化。

公开(公告)号：US4894254A

公开(公告)日：1990-01-16

申请号：US272083

申请日：1988-11-16

申请人： Muneo Nakayama ,  Akira Hashimoto ,  Toshihiro Nishimura ,  Akira Uehara ,  Isamu Hijikata

发明人： Muneo Nakayama ,  Akira Hashimoto ,  Toshihiro Nishimura ,  Akira Uehara ,  Isamu Hijikata

IPC分类号： B05D3/02 ,  B05D3/06 ,  B05D3/14 ,  B29C59/14 ,  C09D183/04 ,  G02F1/1337 ,  H01L21/312

CPC分类号： C08J7/123 ,  B05D3/145 ,  B29C59/14 ,  C09D183/04 ,  G02F1/133711 ,  H01L21/3121 ,  B05D2518/10 ,  B05D3/02 ,  C08J2383/04

摘要： A silicone film is formed by drying a solution coated on a substrate at a temperature below 150.degree. C. to form a silicone film on the substrate, treating the silicone film in an oxygen plasma, and heating the silicone film treated in the plasma at a temperature of 150.degree. C. or higher.

摘要翻译： 通过在低于150℃的温度下干燥涂覆在基材上的溶液来形成硅氧烷膜，以在基材上形成硅酮膜，在氧等离子体中处理硅酮膜，并加热在等离子体中处理的硅酮薄膜 温度为150℃以上。