公开(公告)号：US06933553B2

公开(公告)日：2005-08-23

申请号：US10749596

申请日：2003-12-30

申请人： Hyun Tak Kim ,  Kwang Yong Kang ,  Doo Hyeb Youn ,  Byung Gyu Chae

发明人： Hyun Tak Kim ,  Kwang Yong Kang ,  Doo Hyeb Youn ,  Byung Gyu Chae

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L49/00 ,  H01L29/772 ,  H01L19/12

CPC分类号： H01L49/003

摘要： Provided is a field effect transistor. The field effect transistor includes an insulating vanadium dioxide (VO2) thin film used as a channel material, a source electrode and a drain electrode disposed on the insulating VO2 thin film to be spaced apart from each other by a channel length, a dielectric layer disposed on the source electrode, the drain electrode, and the insulating VO2 thin film, and a gate electrode for applying a predetermined voltage to the dielectric layer.

摘要翻译： 提供了场效应晶体管。 场效应晶体管包括用作沟道材料的绝缘二氧化钒（VO 2 N 2）薄膜，设置在绝缘VO 2薄膜上的源电极和漏电极 通过沟道长度彼此间隔开，设置在源电极，漏电极和绝缘VO 2薄膜上的电介质层和用于施加预定电压的栅电极 电介质层。