公开(公告)号：US07005339B2

公开(公告)日：2006-02-28

申请号：US10707444

申请日：2003-12-15

申请人： Ching-Chun Huang ,  Ming-Hsien Huang ,  Rong-Ching Chen ,  Jy-Hwang Lin

发明人： Ching-Chun Huang ,  Ming-Hsien Huang ,  Rong-Ching Chen ,  Jy-Hwang Lin

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456

摘要： The present invention provides a method of integrating at least one high voltage metal oxide semiconductor device and at least one Submicron metal oxide semiconductor device on a substrate. The method comprises: providing the substrate, forming a plurality of shallow trenches having different depths on a surface of the substrate, and forming a plurality of silicon oxide layers filling up the shallow trenches, and a top of each of the silicon oxide layers being in the shape of a mushroom.

摘要翻译： 本发明提供一种将至少一个高电压金属氧化物半导体器件和至少一个亚微米金属氧化物半导体器件集成在衬底上的方法。 该方法包括：提供衬底，在衬底的表面上形成具有不同深度的多个浅沟槽，以及形成填充浅沟槽的多个氧化硅层，并且每个氧化硅层的顶部处于 蘑菇的形状。