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84 条记录 (耗时 0.026 秒)

    Microphone stand
    81.
    外观设计
    Microphone stand 有权
    麦克风支架

    公开(公告)号：USD547752S1

    公开(公告)日：2007-07-31

    申请号：US29235675

    申请日：2005-08-04

    申请人： Kyung Ho Lee

    设计人： Kyung Ho Lee

    Method of fabricating T-gate
    82.
    发明申请
    Method of fabricating T-gate 有权
    制造T型门的方法

    公开(公告)号：US20070128752A1

    公开(公告)日：2007-06-07

    申请号：US11607417

    申请日：2006-12-01

    申请人： Jae Yoeb Shim ,  Hyung Sup Yoon ,  Dong Min Kang ,  Ju Yeon Hong ,  Kyung Ho Lee

    发明人： Jae Yoeb Shim ,  Hyung Sup Yoon ,  Dong Min Kang ,  Ju Yeon Hong ,  Kyung Ho Lee

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/0331 ,  H01L21/28587

    摘要： A method of fabricating a T-gate is provided. The method includes the steps of: forming a photoresist layer on a substrate; patterning the photoresist layer formed on the substrate and forming a first opening; forming a first insulating layer on the photoresist layer and the substrate; removing the first insulating layer and forming a second opening to expose the substrate; forming a second insulating layer on the first insulating layer; removing the second insulating layer and forming a third opening to expose the substrate; forming a metal layer on the second insulating layer on which the photoresist layer and the third opening are formed; and removing the metal layer formed on the photoresist layer. Accordingly, a uniform and elaborate opening defining the length of a gate may be formed by deposition of the insulating layer and a blanket dry etching process, and thus a more elaborate micro T-gate electrode may be fabricated.

    摘要翻译： 提供一种制造T型栅极的方法。 该方法包括以下步骤：在衬底上形成光致抗蚀剂层; 图案化形成在基板上的光致抗蚀剂层并形成第一开口; 在所述光致抗蚀剂层和所述基板上形成第一绝缘层; 去除所述第一绝缘层并形成第二开口以暴露所述衬底; 在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层; 去除所述第二绝缘层并形成第三开口以暴露所述衬底; 在其上形成有光致抗蚀剂层和第三开口的第二绝缘层上形成金属层; 并除去形成在光致抗蚀剂层上的金属层。 因此，可以通过沉积绝缘层和橡皮干蚀刻工艺来形成限定栅极长度的均匀且精细的开口，因此可以制造更精细的微型T型栅电极。