公开(公告)号：US07564086B2

公开(公告)日：2009-07-21

申请号：US11566360

申请日：2006-12-04

申请人： Oh-Jung Kwon ,  Kim Bosang ,  Herbert Lei Ho ,  Ali Babar Khan ,  Deok-kee Kim

发明人： Oh-Jung Kwon ,  Kim Bosang ,  Herbert Lei Ho ,  Ali Babar Khan ,  Deok-kee Kim

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L27/10867 ,  H01L27/10888

摘要： A DRAM cell in a substrate has a deep trench (DT) extending from a surface of the substrate into the substrate, a word line (WL) formed on the surface of the substrate adjacent the deep trench, and oxide (TTO) disposed in a top portion of the trench and extending beyond the trench in the direction of the word line. In this manner, when silicided, there is oxide rather than silicon on the surface of the substrate in a gap between the word line (WL) and a passing word line (PWL) disposed above the deep trench.

摘要翻译： 衬底中的DRAM单元具有从衬底的表面延伸到衬底中的深沟槽（DT），形成在与深沟槽相邻的衬底的表面上的字线（WL）和设置在衬底中的氧化物（TTO） 沟槽的顶部并且在字线的方向上延伸超过沟槽。 以这种方式，当硅化时，在位于深沟槽之上的字线（WL）和通过字线（PWL）之间的间隙中，衬底表面上存在氧化物而不是硅。