公开(公告)号：US07737051B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US10797876

申请日：2004-03-10

申请人： Anthony Dip ,  Pradip K. Roy ,  Sanjeev Kaushal ,  Allen J. Leith ,  Seungho Oh ,  Raymond Joe

发明人： Anthony Dip ,  Pradip K. Roy ,  Sanjeev Kaushal ,  Allen J. Leith ,  Seungho Oh ,  Raymond Joe

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L21/31604 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185 ,  Y10T29/41

摘要： A method for using a silicon germanium (SiGe) surface layer to integrate a high-k dielectric layer into a semiconductor device. The method forms a SiGe surface layer on a substrate and deposits a high-k dielectric layer on the SiGe surface layer. An oxide layer, located between the high-k dielectric layer and an unreacted portion of the SiGe surface layer, is formed during one or both of deposition of the high-k dielectric layer and an annealing process after deposition of the high-k dielectric layer. The method further includes forming an electrode layer on the high-k dielectric layer.

摘要翻译： 一种使用硅锗（SiGe）表面层将高k电介质层集成到半导体器件中的方法。 该方法在衬底上形成SiGe表面层，并在SiGe表面层上沉积高k电介质层。 在高k电介质层的沉积和沉积高k电介质层之间的退火工艺中的一个或两个期间，形成位于高k电介质层和SiGe表面层的未反应部分之间的氧化物层 。 该方法还包括在高k电介质层上形成电极层。