公开(公告)号：US20080233709A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US11689884

申请日：2007-03-22

申请人： Richard Anthony Conti ,  Armin T. Tilke ,  Chris Stapelmann ,  Michael R. Sievers

发明人： Richard Anthony Conti ,  Armin T. Tilke ,  Chris Stapelmann ,  Michael R. Sievers

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229

摘要： A method for removing a material from a trench in a semiconductor. The method includes placing the semiconductor in a vacuum chamber, admitting a reactant into the chamber at a pressure to form a film of the reactant on a surface of the material, controlling the composition and residence time of the film on the surface of the material to etch at least a portion of the material, and removing any unwanted reactant and reaction product from the chamber or the surface of the material.

摘要翻译： 一种用于从半导体中的沟槽中去除材料的方法。 该方法包括将半导体放置在真空室中，在反应物的压力下将反应物导入到腔室中以在材料的表面上形成反应物的膜，从而控制膜在材料表面上的组成和停留时间 蚀刻材料的至少一部分，并从室或材料表面去除任何不需要的反应物和反应产物。