公开(公告)号：US06927147B2

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：US10603850

申请日：2003-06-25

申请人： Eugene A. Fitzgerald ,  Arthuer J. Pitera

发明人： Eugene A. Fitzgerald ,  Arthuer J. Pitera

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76256 ,  Y10T428/25

摘要： A method of bonding lattice-mismatched semiconductors is provided. The method includes forming a Ge-based virtual substrate and depositing on the virtual substrate a CMP layer that forms a planarized virtual substrate. Also, the method includes bonding a Si substrate to the planarized virtual substrate and performing layer exfoliation on selective layers of the planarized virtual substrate producing a damaged layer of Ge. Furthermore, the method includes removing the damaged layer of Ge.

摘要翻译： 提供了结合晶格失配的半导体的方法。 该方法包括形成Ge基虚拟衬底并在虚拟衬底上沉积形成平坦化虚拟衬底的CMP层。 此外，该方法包括将Si衬底接合到平坦化虚拟衬底并且在平坦化的虚拟衬底的选择层上进行层剥离，产生损伤的Ge层。 此外，该方法包括去除损坏的Ge层。