公开(公告)号：US20050223805A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US10907633

申请日：2005-04-08

申请人： Rajesh Ganesan ,  Tapas Das ,  Arun Sikder ,  Ashok Kumar

发明人： Rajesh Ganesan ,  Tapas Das ,  Arun Sikder ,  Ashok Kumar

IPC分类号： B24B37/005 ,  B24B49/00 ,  G01N29/00 ,  G01N29/04 ,  G01N29/12 ,  G01N29/14 ,  G01N29/34 ,  G01N29/42 ,  G01N29/44 ,  G01N29/46

CPC分类号： G01N29/043 ,  B24B37/005 ,  B24B49/003 ,  G01N29/12 ,  G01N29/14 ,  G01N29/348 ,  G01N29/42 ,  G01N29/4427 ,  G01N29/4445 ,  G01N29/46 ,  G01N2291/0231 ,  G01N2291/2632 ,  G01N2291/2697

摘要： The present invention presents a novel application of a wavelet-based multiscale method in a nanomachining process chemical mechanical planarization (CMP) of wafer fabrication. The invention involves identification of delamination defects of low-k dielectric layers by analyzing the nonstationary acoustic emission (AE) signal collected during copper damascene (Cu-low k) CMP processes. An offline strategy and a moving window-based strategy for online implementation of the wavelet monitoring approach are developed.

摘要翻译： 本发明提出了在晶片制造的纳米加工过程化学机械平面化（CMP）中基于小波的多尺度方法的新颖应用。 本发明涉及通过分析在铜镶嵌（Cu-low k）CMP工艺中收集的非平稳声发射（AE）信号来识别低k电介质层的分层缺陷。 开发了用于在线实现小波监测方法的离线策略和基于窗口的移动策略。

公开(公告)号：US20070061088A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：US11554716

申请日：2006-10-31

申请人： Rajesh Ganesan ,  Tapas Das ,  Arun Sikder ,  Ashok Kumar

发明人： Rajesh Ganesan ,  Tapas Das ,  Arun Sikder ,  Ashok Kumar

IPC分类号： G01N31/00

CPC分类号： G01N29/4427 ,  B24B37/005 ,  B24B49/003 ,  G01N29/043 ,  G01N29/14 ,  G01N29/42 ,  G01N29/4445 ,  G01N29/46 ,  G01N2291/0231 ,  G01N2291/2697

摘要： The present invention presents a novel application of a wavelet-based multiscale method in a nanomachining process chemical mechanical planarization (CMP) of wafer fabrication. The invention involves identification of delamination defects of low-k dielectric layers by analyzing the nonstationary acoustic emission (AE) signal collected during copper damascene (Cu-low k) CMP processes. An offline strategy and a moving window-based strategy for online implementation of the wavelet monitoring approach are developed.

摘要翻译： 本发明提出了在晶片制造的纳米加工过程化学机械平面化（CMP）中基于小波的多尺度方法的新颖应用。 本发明涉及通过分析在铜镶嵌（Cu-low k）CMP工艺中收集的非平稳声发射（AE）信号来识别低k电介质层的分层缺陷。 开发了用于在线实现小波监测方法的离线策略和基于窗口的移动策略。

公开(公告)号：US20060100821A1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：US11164048

申请日：2005-11-08

申请人： Tapas Das ,  Rajesh Ganesan ,  Arun Sikder ,  Ashok Kumar

发明人： Tapas Das ,  Rajesh Ganesan ,  Arun Sikder ,  Ashok Kumar

IPC分类号： G06F15/00

CPC分类号： B24B37/013

摘要： The present invention is an online methodology for end point detection for use in a chemical mechanical planarization process which is both robust and inexpensive while overcoming some of the drawbacks of the existing end point detection approaches currently known in the art. The present invention provides a system and method for identifying a significant event in a chemical mechanical planarization process including the steps of decomposing coefficient of friction data acquired from a chemical mechanical planarization process using wavelet-based multiresolution analysis, and applying a sequential probability ratio test for variance on the decomposed data to identify a significant event in the chemical mechanical planarization process.

摘要翻译： 本发明是一种在化学机械平面化方法中使用的端点检测的在线方法，其在克服本领域当前已知的端点检测方法的一些缺点的同时鲁棒且廉价。 本发明提供一种用于识别化学机械平面化处理中的重要事件的系统和方法，包括以下步骤：使用基于小波的多分辨率分析从化学机械平面化处理获得的摩擦系数数据分解，并对 在分解数据上的方差来识别化学机械平面化过程中的重大事件。