公开(公告)号：US09029221B2

公开(公告)日：2015-05-12

申请号：US13995467

申请日：2011-12-21

申请人： Annalisa Cappellani ,  Kelin J. Kuhn ,  Rafael Rios ,  Aura Cecilia Davila Latorre ,  Tahir Ghani

发明人： Annalisa Cappellani ,  Kelin J. Kuhn ,  Rafael Rios ,  Aura Cecilia Davila Latorre ,  Tahir Ghani

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L21/308

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66484

摘要： Semiconductor devices having three-dimensional bodies with modulated heights and methods to form such devices are described. For example, a semiconductor structure includes a first semiconductor device having a first semiconductor body disposed above a substrate. The first semiconductor body has a first height and an uppermost surface with a first horizontal plane. The semiconductor structure also includes a second semiconductor device having a second semiconductor body disposed above the substrate. The second semiconductor body has a second height and an uppermost surface with a second horizontal plane. The first and second horizontal planes are co-planar and the first and second heights are different.

摘要翻译： 描述具有调制高度的三维体的半导体器件和形成这种器件的方法。 例如，半导体结构包括具有设置在基板上方的第一半导体本体的第一半导体器件。 第一半导体本体具有第一高度和具有第一水平面的最上表面。 半导体结构还包括具有设置在衬底上方的第二半导体本体的第二半导体器件。 第二半导体本体具有第二高度和具有第二水平面的最上表面。 第一和第二水平面是共面的，第一和第二高度是不同的。

公开(公告)号：US20130320448A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13995467

申请日：2011-12-21

申请人： Annalisa Cappellani ,  Kelin J. Kuhn ,  Rafael Rios ,  Aura Cecilia Davila Latorre ,  Tahir Ghani

发明人： Annalisa Cappellani ,  Kelin J. Kuhn ,  Rafael Rios ,  Aura Cecilia Davila Latorre ,  Tahir Ghani

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66484

摘要： Semiconductor devices having three-dimensional bodies with modulated heights and methods to form such devices are described. For example, a semiconductor structure includes a first semiconductor device having a first semiconductor body disposed above a substrate. The first semiconductor body has a first height and an uppermost surface with a first horizontal plane. The semiconductor structure also includes a second semiconductor device having a second semiconductor body disposed above the substrate. The second semiconductor body has a second height and an uppermost surface with a second horizontal plane. The first and second horizontal planes are co-planar and the first and second heights are different.

摘要翻译： 描述具有调制高度的三维体的半导体器件和形成这种器件的方法。 例如，半导体结构包括具有设置在基板上方的第一半导体本体的第一半导体器件。 第一半导体本体具有第一高度和具有第一水平面的最上表面。 半导体结构还包括具有设置在衬底上方的第二半导体本体的第二半导体器件。 第二半导体本体具有第二高度和具有第二水平面的最上表面。 第一和第二水平面是共面的，第一和第二高度是不同的。