公开(公告)号：US20100055318A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12549768

申请日：2009-08-28

申请人： Boris Volf ,  Breid Soderman ,  Eric A. Armour

发明人： Boris Volf ,  Breid Soderman ,  Eric A. Armour

IPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/68735 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： In chemical vapor deposition apparatus, a water carrier (32) has a top surface (34) holding the wafers and a bottom surface (36) heated by radiant heat transfer from a heating element (28). The bottom surface (36) of the wafer carrier is non-planar due to features such as depressions (54) so that the wafer carrier has different thickness at different locations. The thicker portions of the wafer carrier have higher thermal resistance. Differences in thermal resistance at different locations counteract undesired non-uniformities in heat transfer to the wafer. The wafer carrier may have pockets with projections (553, 853) for engaging spaced-apart locations on the edges of the wafer.

摘要翻译： 在化学气相沉积装置中，水载体（32）具有保持晶片的顶表面（34）和从加热元件（28）通过辐射热传递加热的底表面（36）。 由于诸如凹陷（54）的特征，晶片载体的底表面（36）是非平面的，使得晶片载体在不同位置具有不同的厚度。 晶片载体的较厚部分具有较高的热阻。 不同位置的热阻差异抵消了向晶片传热的不均匀不均匀性。 晶片载体可以具有用于接合晶片边缘上的间隔开的位置的突起（553,853）的凹穴。