公开(公告)号：US20100195380A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12364589

申请日：2009-02-03

申请人： Xiaobin Wang ,  Yong Lu ,  Haiwen Xi ,  Yuankai Zheng ,  Yiran Chen ,  Harry Hongyue Liu ,  Dimitar Dimitrov ,  Wei Tian ,  Brian Seungwhan Lee

发明人： Xiaobin Wang ,  Yong Lu ,  Haiwen Xi ,  Yuankai Zheng ,  Yiran Chen ,  Harry Hongyue Liu ,  Dimitar Dimitrov ,  Wei Tian ,  Brian Seungwhan Lee

IPC分类号： G11C11/14 ,  G11C11/416

CPC分类号： H01F10/329 ,  B82Y25/00 ,  G06F7/588 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1677 ,  G11C11/1693 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286

摘要： A method and apparatus for writing data to a non-volatile memory cell, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell. In some embodiments, a selected resistive state is written to a magnetic tunneling structure by applying a succession of indeterminate write pulses thereto until the selected resistive state is verified.

摘要翻译： 一种将数据写入非易失性存储单元的方法和装置，例如自旋转矩传递随机存取存储器（STRAM）存储单元。 在一些实施例中，通过将一系列不确定的写入脉冲施加到磁性隧道结构中来将所选择的电阻状态写入到所选择的电阻状态。

公开(公告)号：US20110194337A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：US13091372

申请日：2011-04-21

申请人： Xiaobin Wang ,  Yong Lu ,  Haiwen Xi ,  Yuankai Zheng ,  Yiran Chen ,  Harry Hongyue Liu ,  Dimitar Dimitrov ,  Wei Tian ,  Brian Seungwhan Lee

发明人： Xiaobin Wang ,  Yong Lu ,  Haiwen Xi ,  Yuankai Zheng ,  Yiran Chen ,  Harry Hongyue Liu ,  Dimitar Dimitrov ,  Wei Tian ,  Brian Seungwhan Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01F10/329 ,  B82Y25/00 ,  G06F7/588 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1677 ,  G11C11/1693 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286

摘要： A method and apparatus for writing data to a non-volatile memory cell, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell. In some embodiments, a selected resistive state is written to a magnetic tunneling structure by applying a succession of indeterminate write pulses thereto until the selected resistive state is verified.

摘要翻译： 一种将数据写入非易失性存储单元的方法和装置，例如自旋转矩传递随机存取存储器（STRAM）存储单元。 在一些实施例中，通过将一系列不确定的写入脉冲施加到磁性隧道结构中来将所选择的电阻状态写入到所选择的电阻状态。

公开(公告)号：US07936592B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US12364589

申请日：2009-02-03

申请人： Xiaobin Wang ,  Yong Lu ,  Haiwen Xi ,  Yuankai Zheng ,  Yiran Chen ,  Harry Hongyue Liu ,  Dimitar Dimitrov ,  Wei Tan ,  Brian Seungwhan Lee

发明人： Xiaobin Wang ,  Yong Lu ,  Haiwen Xi ,  Yuankai Zheng ,  Yiran Chen ,  Harry Hongyue Liu ,  Dimitar Dimitrov ,  Wei Tan ,  Brian Seungwhan Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01F10/329 ,  B82Y25/00 ,  G06F7/588 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1677 ,  G11C11/1693 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286

摘要： A method and apparatus for writing data to a non-volatile memory cell, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell. In some embodiments, a selected resistive state is written to a magnetic tunneling structure by applying a succession of indeterminate write pulses thereto until the selected resistive state is verified.

摘要翻译： 一种将数据写入非易失性存储单元的方法和装置，例如自旋转矩传递随机存取存储器（STRAM）存储单元。 在一些实施例中，通过将一系列不确定的写入脉冲施加到磁性隧道结构中来将所选择的电阻状态写入到所选择的电阻状态。