公开(公告)号：US5976951A

公开(公告)日：1999-11-02

申请号：US106746

申请日：1998-06-30

申请人： Kuo-Tai Huang ,  Chih-Hsiang Hsiao ,  Chao-Yen Chen

发明人： Kuo-Tai Huang ,  Chih-Hsiang Hsiao ,  Chao-Yen Chen

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76232 ,  Y10S148/05

摘要： A method for forming an isolating trench in a substrate is disclosed herein. The forgoing method includes the following steps. First, form a first dielectric layer and a second dielectric layer on the substrate subsequently, and then develop a photoresist pattern on the second dielectric layer. Then, etch the substrate, the first dielectric layer and the second dielectric layer to form a trench in the substrate. Next, form a first silicon dioxide layer in the trench followed by removing the photoresist pattern. The next step is to form a third dielectric layer on the second dielectric layer and the first silicon dioxide layer. Subsequently, fill the trench with silicon dioxide to from an oxide trench; then remove the second dielectric layer, a first portion of the third dielectric layer and a portion of the oxide trench with a chemical mechanical polishing (CMP) and a first solution. The third dielectric layer mentioned above includes the first portion of the third dielectric layer and a second portion of the third dielectric layer. Finally, etch the first dielectric layer and the oxide trench to expose the substrate. The second portion of the third dielectric layer is used to prevent an oxide loss in the oxide trench; then the isolating trench being formed thereof.

摘要翻译： 本文公开了在衬底中形成隔离沟槽的方法。 前述方法包括以下步骤。 首先，随后在衬底上形成第一电介质层和第二电介质层，然后在第二电介质层上形成光致抗蚀剂图案。 然后，蚀刻衬底，第一介电层和第二介电层，以在衬底中形成沟槽。 接下来，在沟槽中形成第一二氧化硅层，然后除去光致抗蚀剂图案。 下一步是在第二电介质层和第一二氧化硅层上形成第三电介质层。 随后，用二氧化硅填充沟槽至氧化物沟槽; 然后通过化学机械抛光（CMP）和第一溶液去除第二介电层，第三介电层的第一部分和氧化物沟槽的一部分。 上述第三电介质层包括第三电介质层的第一部分和第三电介质层的第二部分。 最后，蚀刻第一介电层和氧化物沟槽以暴露衬底。 第三介质层的第二部分用于防止氧化物沟槽中的氧化物损失; 则形成隔离槽。