公开(公告)号：US07052810B2

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：US10871755

申请日：2004-06-18

申请人： Tsan Lu ,  Wen-Bin Wu ,  Yung-Long Hung ,  Cheng-Kung Lu

发明人： Tsan Lu ,  Wen-Bin Wu ,  Yung-Long Hung ,  Cheng-Kung Lu

IPC分类号： G01F9/00

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/44 ,  G03F1/68

摘要： A method of correcting optical proximity effect of contact holes. Corresponding relations between mask critical dimensions (mCDs) and photoresist critical dimensions (pCDs) for each pitch (d) are formed. Correction of each mCD for each combination of pCDs and pitches is determined based on the corresponding relations. The correction is used first to correct each contact hole of a processing mask pattern. The first corrected contact hole of the processing mask pattern is corrected again to a square having the same area as the first corrected contact hole and the same center as the uncorrected contact hole.

摘要翻译： 修正接触孔的光学邻近效应的方法。 形成每个间距（d）的掩模临界尺寸（mCD）和光刻胶临界尺寸（pCD）之间的对应关系。 基于相应的关系确定每个组合的pCD和间距的每个mCD的校正。 首先使用校正来校正处理掩模图案的每个接触孔。 将处理掩模图案的第一校正接触孔再次校正为具有与第一校正接触孔相同的面积和与未校正的接触孔相同的中心的正方形。

公开(公告)号：US20050003284A1

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：US10871755

申请日：2004-06-18

申请人： Tsan Lu ,  Wen-Bin Wu ,  Yung-Long Hung ,  Cheng-Kung Lu

发明人： Tsan Lu ,  Wen-Bin Wu ,  Yung-Long Hung ,  Cheng-Kung Lu

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  G03F7/00 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/44 ,  G03F1/68

摘要： A method of correcting optical proximity effect of contact holes. Corresponding relations between mask critical dimensions (mCDs) and photoresist critical dimensions (pCDs) for each pitch (d) are formed. Correction of each mCD for each combination of pCDs and pitches is determined based on the corresponding relations. The correction is used first to correct each contact hole of a processing mask pattern. The first corrected contact hole of the processing mask pattern is corrected again to a square having the same area as the first corrected contact hole and the same center as the uncorrected contact hole.

摘要翻译： 修正接触孔的光学邻近效应的方法。 形成每个间距（d）的掩模临界尺寸（mCD）和光刻胶临界尺寸（pCD）之间的对应关系。 基于相应的关系确定每个组合的pCD和间距的每个mCD的校正。 首先使用校正来校正处理掩模图案的每个接触孔。 将处理掩模图案的第一校正接触孔再次校正为具有与第一校正接触孔相同的面积和与未校正的接触孔相同的中心的正方形。