公开(公告)号：US20130285153A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：US13487860

申请日：2012-06-04

Applicant: Tsung-Lin LEE ,  Chih Chieh YEH ,  Feng YUAN ,  Cheng-Yi PENG ,  Clement Hsingjen WANN

Inventor： Tsung-Lin LEE ,  Chih Chieh YEH ,  Feng YUAN ,  Cheng-Yi PENG ,  Clement Hsingjen WANN

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7848

Abstract: An exemplary structure for a field effect transistor (FET) comprises a silicon substrate comprising a first surface; a channel portion over the first surface, wherein the channel portion has a second surface at a first height above the first surface, and a length parallel to first surface; and two source/drain (S/D) regions on the first surface and surrounding the channel portion along the length of the channel portion, wherein the two S/D regions comprise SiGe, Ge, Si, SiC, GeSn, SiGeSn, SiSn, or III-V material.

Abstract translation: 用于场效应晶体管（FET）的示例性结构包括：硅衬底，其包括第一表面; 在所述第一表面上的通道部分，其中所述通道部分具有​​在所述第一表面上方的第一高度处的第二表面和平行于第一表面的长度; 以及沿沟道部分的长度围绕沟道部分的两个源极/漏极（S / D）区域，其中两个S / D区域包括SiGe，Ge，Si，SiC，GeSn，SiGeSn，SiSn， 或III-V材料。

公开(公告)号：US09171929B2

公开(公告)日：2015-10-27

申请号：US13487860

申请日：2012-06-04

Applicant: Tsung-Lin Lee ,  Chih Chieh Yeh ,  Feng Yuan ,  Cheng-Yi Peng ,  Clement Hsingjen Wann

Inventor： Tsung-Lin Lee ,  Chih Chieh Yeh ,  Feng Yuan ,  Cheng-Yi Peng ,  Clement Hsingjen Wann

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66 ,  H01L29/10 ,  H01L29/165 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7848

Abstract: An exemplary structure for a field effect transistor (FET) comprises a silicon substrate comprising a first surface; a channel portion over the first surface, wherein the channel portion has a second surface at a first height above the first surface, and a length parallel to first surface; and two source/drain (S/D) regions on the first surface and surrounding the channel portion along the length of the channel portion, wherein the two S/D regions comprise SiGe, Ge, Si, SiC, GeSn, SiGeSn, SiSn, or III-V material.

Abstract translation: 用于场效应晶体管（FET）的示例性结构包括：硅衬底，其包括第一表面; 在所述第一表面上的通道部分，其中所述通道部分具有​​在所述第一表面上方的第一高度处的第二表面和平行于第一表面的长度; 以及沿沟道部分的长度围绕沟道部分的两个源极/漏极（S / D）区域，其中两个S / D区域包括SiGe，Ge，Si，SiC，GeSn，SiGeSn，SiSn， 或III-V材料。

公开(公告)号：US20080142908A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11877812

申请日：2007-10-24

Applicant: Chih-Hung Tseng ,  Hsien-Ta Wu ,  Cheng-Yi Peng ,  Chee-Wee Liu

Inventor： Chih-Hung Tseng ,  Hsien-Ta Wu ,  Cheng-Yi Peng ,  Chee-Wee Liu

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L29/4966

Abstract: A method of using an III-V semiconductor material as a gate electrode is provided. The method includes steps of providing a substrate; forming a gate dielectric layer on the substrate; and forming the III-V semiconductor material on the gate dielectric layer.

Abstract translation: 提供了使用III-V族半导体材料作为栅电极的方法。 该方法包括提供衬底的步骤; 在所述基板上形成栅介电层; 以及在栅介质层上形成III-V族半导体材料。