公开(公告)号：US09953885B2

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：US12843693

申请日：2010-07-26

申请人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Hung-Ming Chen ,  Chang-Yun Chang

发明人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Hung-Ming Chen ,  Chang-Yun Chang

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/845 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795

摘要： A method of forming an integrated circuit structure includes providing a semiconductor substrate including a top surface; forming a first insulation region and a second insulation region in the semiconductor substrate; and recessing the first insulation region and the second insulation region. Top surfaces of remaining portions of the first insulation region and the second insulation region are flat surfaces or divot surfaces. A portion of the semiconductor substrate between and adjoining removed portions of the first insulation region and the second insulation region forms a fin.

公开(公告)号：US09484462B2

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：US12766233

申请日：2010-04-23

申请人： Feng Yuan ,  Hung-Ming Chen ,  Tsung-Lin Lee ,  Chang-Yun Chang ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Feng Yuan ,  Hung-Ming Chen ,  Tsung-Lin Lee ,  Chang-Yun Chang ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/308 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853

摘要： An exemplary structure for the fin field effect transistor comprises a substrate comprising a major surface; a plurality of fin structures protruding from the major surface of the substrate, wherein each fin structure comprises an upper portion and a lower portion separated at a transition location at where the sidewall of the fin structure is at an angle of 85 degrees to the major surface of the substrate, wherein the upper portion has sidewalls that are substantially perpendicular to the major surface of the substrate and a top surface having a first width, wherein the lower portion has tapered sidewalls on opposite sides of the upper portion and a base having a second width larger than the first width; and a plurality of isolation structures between the fin structures, wherein each isolation structure extends from the major surface of the substrate to a point above the transition location.

摘要翻译： 鳍状场效应晶体管的示例性结构包括：包括主表面的衬底; 多个翅片结构，从所述基底的主表面突出，其中每个翅片结构包括在翅片结构的侧壁与主表面成85度角的过渡位置处分离的上部和下部 ，其中所述上部具有基本上垂直于所述基底的主表面的侧壁和具有第一宽度的顶表面，其中所述下部具有在所述上部的相对侧上的锥形侧壁和具有第二宽度的基部 宽度大于第一宽度; 以及在翅片结构之间的多个隔离结构，其中每个隔离结构从基板的主表面延伸到过渡位置上方的点。

公开(公告)号：US08847293B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13411304

申请日：2012-03-02

申请人： Tsung-Lin Lee ,  Feng Yuan ,  Chih Chieh Yeh ,  Wei-Jen Lai

发明人： Tsung-Lin Lee ,  Feng Yuan ,  Chih Chieh Yeh ,  Wei-Jen Lai

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor device and method of fabricating thereof is described that includes a substrate having a fin with a top surface and a first and second lateral sidewall. A hard mask layer may be formed on the top surface of the fin (e.g., providing a dual-gate device). A gate dielectric layer and work function metal layer are formed on the first and second lateral sidewalls of the fin. A silicide layer is formed on the work function metal layer on the first and the second lateral sidewalls of the fin. The silicide layer may be a fully-silicided layer and may provide a stress to the channel region of the device disposed in the fin.

摘要翻译： 描述了一种半导体器件及其制造方法，其包括具有顶表面的翅片和第一和第二侧向侧壁的基板。 可以在翅片的顶表面上形成硬掩模层（例如，提供双栅极器件）。 栅极电介质层和功函数金属层形成在鳍的第一和第二侧壁上。 在翅片的第一和第二侧壁上的功函数金属层上形成硅化物层。 硅化物层可以是完全硅化的层，并且可以对设置在鳍中的器件的沟道区域提供应力。

公开(公告)号：US08623718B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13247570

申请日：2011-09-28

申请人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Shao-Ming Yu ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Shao-Ming Yu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66803

摘要： In a method for forming FinFETs, a photo resist is formed to cover a first semiconductor fin in a wafer, wherein a second semiconductor fin adjacent to the first semiconductor fin is not covered by the photo resist. An edge of the photo resist between and parallel to the first and the second semiconductor fins is closer to the first semiconductor fin than to the second semiconductor fin. A tilt implantation is performed to form a lightly-doped source/drain region in the second semiconductor fin, wherein the first tilt implantation is tilted from the second semiconductor fin toward the first semiconductor fin.

摘要翻译： 在形成FinFET的方法中，形成光致抗蚀剂以覆盖晶片中的第一半导体鳍片，其中与第一半导体鳍片相邻的第二半导体鳍片不被光致抗蚀剂覆盖。 第一半导体鳍片和第二半导体鳍片之间的平行于第一和第二半导体鳍片的光刻胶的边缘比第二半导体鳍片更靠近第一半导体鳍片。 进行倾斜注入以在第二半导体鳍片中形成轻掺杂的源极/漏极区域，其中第一倾斜注入从第二半导体鳍片向第一半导体鳍片倾斜。

公开(公告)号：US20130285153A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：US13487860

申请日：2012-06-04

申请人： Tsung-Lin LEE ,  Chih Chieh YEH ,  Feng YUAN ,  Cheng-Yi PENG ,  Clement Hsingjen WANN

发明人： Tsung-Lin LEE ,  Chih Chieh YEH ,  Feng YUAN ,  Cheng-Yi PENG ,  Clement Hsingjen WANN

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7848

摘要： An exemplary structure for a field effect transistor (FET) comprises a silicon substrate comprising a first surface; a channel portion over the first surface, wherein the channel portion has a second surface at a first height above the first surface, and a length parallel to first surface; and two source/drain (S/D) regions on the first surface and surrounding the channel portion along the length of the channel portion, wherein the two S/D regions comprise SiGe, Ge, Si, SiC, GeSn, SiGeSn, SiSn, or III-V material.

摘要翻译： 用于场效应晶体管（FET）的示例性结构包括：硅衬底，其包括第一表面; 在所述第一表面上的通道部分，其中所述通道部分具有​​在所述第一表面上方的第一高度处的第二表面和平行于第一表面的长度; 以及沿沟道部分的长度围绕沟道部分的两个源极/漏极（S / D）区域，其中两个S / D区域包括SiGe，Ge，Si，SiC，GeSn，SiGeSn，SiSn， 或III-V材料。

公开(公告)号：US20130078772A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13247570

申请日：2011-09-28

申请人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Shao-Ming Yu ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Shao-Ming Yu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66803

摘要： In a method for forming FinFETs, a photo resist is formed to cover a first semiconductor fin in a wafer, wherein a second semiconductor fin adjacent to the first semiconductor fin is not covered by the photo resist. An edge of the photo resist between and parallel to the first and the second semiconductor fins is closer to the first semiconductor fin than to the second semiconductor fin. A tilt implantation is performed to form a lightly-doped source/drain region in the second semiconductor fin, wherein the first tilt implantation is tilted from the second semiconductor fin toward the first semiconductor fin.

摘要翻译： 在形成FinFET的方法中，形成光致抗蚀剂以覆盖晶片中的第一半导体鳍片，其中与第一半导体鳍片相邻的第二半导体鳍片不被光致抗蚀剂覆盖。 第一半导体鳍片和第二半导体鳍片之间的平行于第一和第二半导体鳍片的光刻胶的边缘比第二半导体鳍片更靠近第一半导体鳍片。 进行倾斜注入以在第二半导体鳍片中形成轻掺杂的源极/漏极区域，其中第一倾斜注入从第二半导体鳍片向第一半导体鳍片倾斜。

公开(公告)号：US20130075818A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13243723

申请日：2011-09-23

申请人： Tsung-Lin Lee ,  Feng Yuan ,  Chih Chieh Yeh ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Tsung-Lin Lee ,  Feng Yuan ,  Chih Chieh Yeh ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device is disclosed. An exemplary semiconductor device includes a substrate and a 3D structure disposed over the substrate. The semiconductor device further includes a dielectric layer disposed over the 3D structure, a WFMG layer disposed over the dielectric layer, and a gate structure disposed over the WFMG layer. The gate structure traverses the 3D structure and separates a source region and a drain region of the 3D structure. The source and drain region define a channel region therebetween. The gate structure induces a stress in the channel region.

摘要翻译： 公开了一种用于制造半导体器件的半导体器件和方法。 示例性的半导体器件包括衬底和设置在衬底上的3D结构。 半导体器件还包括设置在3D结构上的电介质层，设置在电介质层上的WFMG层，以及设置在WFMG层上的栅极结构。 栅极结构横穿3D结构并分离3D结构的源极区域和漏极区域。 源极和漏极区域在其间限定沟道区域。 栅极结构在沟道区域中引起应力。

公开(公告)号：US08397254B2

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：US13306058

申请日：2011-11-29

申请人： Shin-Zhi E ,  Chun-Wen Cheng ,  Ling-Yan Lin ,  Chung-Hsun Yang ,  Feng-Yuan Chen ,  Chih-Jian Ma

发明人： Shin-Zhi E ,  Chun-Wen Cheng ,  Ling-Yan Lin ,  Chung-Hsun Yang ,  Feng-Yuan Chen ,  Chih-Jian Ma

IPC分类号： H04N7/10

CPC分类号： G06Q30/00

摘要： A broadcasting system with auto programming and viewer number feedback is provided, which includes a data gathering device, a viewer number calculating device and a program auto-scheduling device. The data gathering device is used to gather a program list and a local viewer number data. The viewer number calculating device is used to calculate a local viewer number. The program auto-scheduling device is used to automatically determine whether to adjust a program schedule of the program list according to a comparison result between the local viewer number and a determined viewer number. Therefore, the broadcasting system of the invention can detect viewer and definitely calculate viewing efficiency within a predetermined status, and can precisely quantify the viewing efficiency using the caught data. Additionally, the broadcasting system of the invention can automatically evaluate whether to reschedule of a program according to the data feedback to conform the predetermined viewer status.

摘要翻译： 提供一种具有自动编程和观看者编号反馈的广播系统，其包括数据采集装置，观众数量计算装置和节目自动调度装置。 数据采集​​装置用于收集节目列表和本地观众号码数据。 观众数量计算装置用于计算本地观众人数。 程序自动调度装置用于根据本地观众号码与确定的观众号码之间的比较结果来自动确定是否调整节目列表的节目安排。 因此，本发明的广播系统可以检测观看者，并且在预定状态下肯定地计算观看效率，并且可以使用所捕获的数据精确地量化观看效率。 此外，本发明的广播系统可以根据数据反馈自动评估是否重新安排节目以符合预定的观众状态。

公开(公告)号：US08133773B2

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：US11873674

申请日：2007-10-17

申请人： Ching-Chieh Shih ,  Yeong-Shyang Lee ,  Tsung-Yi Hsu ,  Feng-Yuan Gan

发明人： Ching-Chieh Shih ,  Yeong-Shyang Lee ,  Tsung-Yi Hsu ,  Feng-Yuan Gan

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/41733 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78696

摘要： In one aspect of the invention, the method of forming a TFT array panel includes forming a patterned first conductive layer on a substrate, forming a gate insulating layer on the patterned first conductive layer and the substrate, forming a patterned semiconductor layer on the gate insulating layer, forming a patterned second conductive layer, forming a patterned passivation layer on the patterned second conductive layer and the substrate, and forming a patterned transparent conductive layer on the patterned passivation layer.

摘要翻译： 在本发明的一个方面中，形成TFT阵列面板的方法包括在衬底上形成图案化的第一导电层，在图案化的第一导电层和衬底上形成栅极绝缘层，在栅绝缘层上形成图案化的半导体层 形成图案化的第二导电层，在图案化的第二导电层和衬底上形成图案化的钝化层，以及在图案化的钝化层上形成图案化的透明导电层。

公开(公告)号：US20120036573A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13034977

申请日：2011-02-25

申请人： Feng-Yuan Yang

发明人： Feng-Yuan Yang

IPC分类号： H04L9/32

CPC分类号： G06F21/36 ,  G06F21/34

摘要： A drag-and-tag authentication apparatus includes an electronic device, a setting mechanism and an authentication mechanism. The electronic device includes a processor, a display electrically connected to the processor, an operation unit electrically connected to the processor, and a power supply electrically connected to the processor. The setting mechanism is electrically connected to the processor and includes first and second selection units operable for selecting literal and graphic items. The authentication mechanism is electrically connected to the processor and includes literal items and graphic items. Some of the literal items can be located and define a polygonal region. Some of the graphic items can be located and covered by the polygonal region for authentication.

摘要翻译： 拖标认证装置包括电子设备，设置机构和认证机制。 电子设备包括处理器，电连接到处理器的显示器，电连接到处理器的操作单元和电连接到处理器的电源。 设置机构电连接到处理器，并且包括可操作用于选择文字和图形项目的第一和第二选择单元。 认证机构电连接到处理器，并包括文字项目和图形项目。 一些文字项目可以定位并定义一个多边形区域。 一些图形项目可以定位并被多边形区域覆盖以进行认证。