公开(公告)号：US20130127694A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13299780

申请日：2011-11-18

申请人： Cheonghong Kim ,  Tallis Young Chang ,  John Hyunchul Hong

发明人： Cheonghong Kim ,  Tallis Young Chang ,  John Hyunchul Hong

IPC分类号： G09G3/32 ,  H01L33/08 ,  G09G3/34 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

摘要： This disclosure provides systems, methods and apparatus for fabricating thin film transistor (TFT) devices. In one aspect, a substrate having a source area, a drain area, and a channel area is provided. Metal cations are implanted in the oxide semiconductor layer overlying the source area and the drain area of the substrate. The metal cation implantation forms a doped n-type oxide semiconductor in the oxide semiconductor layer overlying the source area and the drain area of the substrate.

摘要翻译： 本公开提供了用于制造薄膜晶体管（TFT）器件的系统，方法和装置。 一方面，提供了具有源极区域，漏极区域和沟道区域的衬底。 将金属阳离子注入覆盖衬底的源极区域和漏极区域的氧化物半导体层中。 金属阳离子注入在覆盖衬底的源极区和漏极区的氧化物半导体层中形成掺杂的n型氧化物半导体。