公开(公告)号：US06110812A

公开(公告)日：2000-08-29

申请号：US309934

申请日：1999-05-11

Applicant: Chiao-Lin Ho ,  J. S. Shiao

Inventor： Chiao-Lin Ho ,  J. S. Shiao

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/44

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L29/4933

Abstract: A method for forming a polycide-gate structure is disclosed. The method comprises forming a gate oxide layer on a substrate. Then a polysilicon layer is formed on the gate oxide layer. Next a silicide layer is formed over the polysilicon layer. Thereafter, an amorphous silicon layer is formed on the silicide layer. Then, the amorphous silicon layer, the silicide layer, the polysilicon layer and the gate oxide layer are patterned and etched to define a gate region by using a photoresist mask. Source/drain regions are formed using the gate region as an implant mask. Finally, a cap silicon nitride layer is formed over the amorphous silicon layer.

Abstract translation: 公开了一种形成多晶硅栅极结构的方法。 该方法包括在衬底上形成栅氧化层。 然后在栅极氧化物层上形成多晶硅层。 接下来，在多晶硅层上形成硅化物层。 此后，在硅化物层上形成非晶硅层。 然后，通过使用光致抗蚀剂掩模，对非晶硅层，硅化物层，多晶硅层和栅极氧化物层进行图案化和蚀刻以限定栅极区域。 使用栅极区域作为植入掩模形成源极/漏极区域。 最后，在非晶硅层上形成帽状氮化硅层。