公开(公告)号：US20070111522A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11273108

申请日：2005-11-12

申请人： Yeow Lim ,  Wei Lu ,  Liang Hsia ,  Jyoti Gupta ,  Chim Seet ,  Hao Zhang

发明人： Yeow Lim ,  Wei Lu ,  Liang Hsia ,  Jyoti Gupta ,  Chim Seet ,  Hao Zhang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76831 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877

摘要： A method of fabrication of a sputtered metal silicide layer over a copper interconnect. We form a dielectric layer over a conductive layer. We form an interconnect opening in the dielectric layer. We form a copper layer at least filling the interconnect opening. We planarize the copper layer to form a copper interconnect in the interconnect opening. The copper interconnect is over polished to form a depression. We form metal silicide layer over the copper interconnect using a low temperature sputtering process. We can form a cap layer over the metal silicide layer.

摘要翻译： 一种在铜互连上制造溅射金属硅化物层的方法。 我们在导电层上形成介电层。 我们在电介质层中形成互连开口。 我们形成至少填充互连开口的铜层。 我们平面化铜层以在互连开口中形成铜互连。 铜互连件被抛光以形成凹陷。 我们使用低温溅射工艺在铜互连上形成金属硅化物层。 我们可以在金属硅化物层上形成覆盖层。