公开(公告)号：US20060125027A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11008235

申请日：2004-12-10

申请人： Chao-Hsin Chien ,  Ching-Tzung Lin ,  Yu-Hsien Lin ,  Chun-Yon Cheng ,  Tan-Fu Loi

发明人： Chao-Hsin Chien ,  Ching-Tzung Lin ,  Yu-Hsien Lin ,  Chun-Yon Cheng ,  Tan-Fu Loi

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28194 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0475 ,  G11C2216/06 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

摘要： In the present invention, an Hf-silicate film with small nanocrystal of high density is grown through a Rapidly Temperature Annealing (RTA) process, where its manufacturing procedure is simple and can be integrated into modern IC manufacturing procedure to be applied in related industries of memory and semiconductor, such as flash memory, nonvolatile memory, and so on, without extra equipment or process.

摘要翻译： 在本发明中，通过快速退火（RTA）工艺生长具有高密度的小纳米晶体的Hf硅酸盐膜，其制造工艺简单，可以集成到现代IC制造程序中，以应用于相关行业 存储器和半导体，如闪存，非易失性存储器等，无需额外的设备或过程。