公开(公告)号：US20060125027A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11008235

申请日：2004-12-10

申请人： Chao-Hsin Chien ,  Ching-Tzung Lin ,  Yu-Hsien Lin ,  Chun-Yon Cheng ,  Tan-Fu Loi

发明人： Chao-Hsin Chien ,  Ching-Tzung Lin ,  Yu-Hsien Lin ,  Chun-Yon Cheng ,  Tan-Fu Loi

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28194 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0475 ,  G11C2216/06 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

摘要： In the present invention, an Hf-silicate film with small nanocrystal of high density is grown through a Rapidly Temperature Annealing (RTA) process, where its manufacturing procedure is simple and can be integrated into modern IC manufacturing procedure to be applied in related industries of memory and semiconductor, such as flash memory, nonvolatile memory, and so on, without extra equipment or process.

摘要翻译： 在本发明中，通过快速退火（RTA）工艺生长具有高密度的小纳米晶体的Hf硅酸盐膜，其制造工艺简单，可以集成到现代IC制造程序中，以应用于相关行业 存储器和半导体，如闪存，非易失性存储器等，无需额外的设备或过程。

公开(公告)号：US20070205444A1

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：US11431697

申请日：2006-05-11

申请人： Guangli Luo ,  Chao-Hsin Chien ,  Tsung-Hsi Yang ,  Chun-Yen Chang

发明人： Guangli Luo ,  Chao-Hsin Chien ,  Tsung-Hsi Yang ,  Chun-Yen Chang

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/6659

摘要： The present invention discloses an architecture of a NMOS transistor with a compressive strained Si—Ge channel fabricated on a silicon (110) substrate, which comprises: a p-silicon (110) substrate, two n+ ion-implanted regions functioning as the source and the drain respectively, a compressive strained Si—Ge channel layer, and a gate structure. The compressive strained Si—Ge channel layer is grown on the p-silicon (110) substrate to reduce the electron conductivity effective mass in the [1_l -10] crystallographic direction and to promote the electron mobility in the [1-10] crystallographic direction. Thus, the present invention can improve the electron mobility of a NMOS transistor via the channels fabricated on the silicon (110) substrate. Further, the NMOS transistor of the present invention can combine with a high-speed PMOS transistor on a silicon (110) substrate to form a high-performance CMOS transistor on the same silicon (110) substrate.

摘要翻译： 本发明公开了一种具有在硅（110）衬底上制造的压应变Si-Ge沟道的NMOS晶体管的架构，其包括：p-硅（110）衬底，两个n + - 分别用作源极和漏极的施加区域，压缩应变Si-Ge沟道层和栅极结构。 压缩应变Si-Ge沟道层生长在p-硅（110）衬底上，以降低[1-1]晶体方向的电子传导有效质量，并促进[1-10]晶体学中的电子迁移率 方向。 因此，本发明可以通过在硅（110）衬底上制造的沟道来改善NMOS晶体管的电子迁移率。 此外，本发明的NMOS晶体管可以与硅（110）衬底上的高速PMOS晶体管组合，以在相同的硅（110）衬底上形成高性能CMOS晶体管。