公开(公告)号：US08500983B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US12786329

申请日：2010-05-24

申请人： Thomas A. Ponnuswamy ,  Bryan Pennington ,  Clifford Berry ,  Bryan L. Buckalew ,  Steven T. Mayer

发明人： Thomas A. Ponnuswamy ,  Bryan Pennington ,  Clifford Berry ,  Bryan L. Buckalew ,  Steven T. Mayer

IPC分类号： C25D5/18 ,  C25D7/12

CPC分类号： C25D7/123 ,  C25D3/38 ,  C25D5/18 ,  C25D17/001

摘要： A plating protocol is employed to control plating of metal onto a wafer comprising a conductive seed layer. Initially, the protocol employs cathodic protection as the wafer is immersed in the plating solution. In certain embodiments, the current density of the wafer is constant during immersion. In a specific example, potentiostatic control is employed to produce a current density in the range of about 1.5 to 20 mA/cm2. The immersion step is followed by a high current pulse step. During bottom up fill inside the features of the wafer, a constant current or a current with a micropulse may be used. This protocol may protect the seed from corrosion while enhancing nucleation during the initial stages of plating.

摘要翻译： 使用电镀方案来控制金属镀在包含导电种子层的晶片上。 最初，当晶片浸入电镀溶液中时，协议采用阴极保护。 在某些实施例中，晶片的电流密度在浸入期间是恒定的。 在具体实例中，使用恒电位控制来产生约1.5至20mA / cm 2范围内的电流密度。 浸没步骤之后是高电流脉冲步骤。 在向下填充晶片的特征内部时，可以使用恒定电流或具有微脉冲的电流。 该方案可以保护种子免受腐蚀，同时在电镀初始阶段增强成核。

公开(公告)号：US20100300888A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12786329

申请日：2010-05-24

申请人： Thomas A. Ponnuswamy ,  Bryan Pennington ,  Clifford Berry ,  Bryan L. Buckalew ,  Steven T. Mayer

发明人： Thomas A. Ponnuswamy ,  Bryan Pennington ,  Clifford Berry ,  Bryan L. Buckalew ,  Steven T. Mayer

IPC分类号： C25D7/12 ,  C25D21/12 ,  C25D3/38

CPC分类号： C25D7/123 ,  C25D3/38 ,  C25D5/18 ,  C25D17/001

摘要： A plating protocol is employed to control plating of metal onto a wafer comprising a conductive seed layer. Initially, the protocol employs cathodic protection as the wafer is immersed in the plating solution. In certain embodiments, the current density of the wafer is constant during immersion. In a specific example, potentiostatic control is employed to produce a current density in the range of about 1.5 to 20 mA/cm2. The immersion step is followed by a high current pulse step. During bottom up fill inside the features of the wafer, a constant current or a current with a micropulse may be used. This protocol may protect the seed from corrosion while enhancing nucleation during the initial stages of plating.

摘要翻译： 使用电镀方案来控制金属镀在包含导电种子层的晶片上。 最初，当晶片浸入电镀溶液中时，协议采用阴极保护。 在某些实施例中，晶片的电流密度在浸入期间是恒定的。 在具体实例中，使用恒电位控制来产生约1.5至20mA / cm 2范围内的电流密度。 浸没步骤之后是高电流脉冲步骤。 在向下填充晶片的特征内部时，可以使用恒定电流或具有微脉冲的电流。 该方案可以保护种子免受腐蚀，同时在电镀初始阶段增强成核。