公开(公告)号：US06373100B1

公开(公告)日：2002-04-16

申请号：US09033628

申请日：1998-03-04

申请人： Irenee M. Pages ,  Quang X. Nguyen ,  Cynthia Trigas ,  Edouard de Frésart ,  Hak-Yam Tsoi ,  Rainer Thoma ,  Jeffrey Pearse

发明人： Irenee M. Pages ,  Quang X. Nguyen ,  Cynthia Trigas ,  Edouard de Frésart ,  Hak-Yam Tsoi ,  Rainer Thoma ,  Jeffrey Pearse

IPC分类号： H01L2976

CPC分类号： H01L29/7809 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775

摘要： A vertically diffused FET (10) is fabricated on a semiconductor die (11) that includes an N+ substrate (12) and an N− epitaxial layer (14). The FET (10) has a source region (36) and a channel region (38) near a front surface (15) of the epitaxial layer (14), and a drain region in the substrate (12). A trench (22) extends through the epitaxial layer (14) to the substrate (12). A conductive layer (24) fills the trench (22), thereby forming a conductive plug (25) electrically coupled to the substrate (12). The conductive plug (25) forms a top side drain electrode of the FET (10).

摘要翻译： 垂直扩散的FET（10）制造在包括N +衬底（12）和N外延层（14）的半导体管芯（11）上。 FET（10）在外延层（14）的前表面（15）附近具有源极区（36）和沟道区（38），以及衬底（12）中的漏极区。 沟槽（22）延伸穿过外延层（14）到衬底（12）。 导电层（24）填充沟槽（22），由此形成电耦合到衬底（12）的导电插塞（25）。 导电插头（25）形成FET（10）的顶侧漏电极。