公开(公告)号：US20070145378A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11315672

申请日：2005-12-22

申请人： Anant Agarwal ,  Sumithra Krishnaswami ,  Sei-Hyung Ryu ,  D. Capell

发明人： Anant Agarwal ,  Sumithra Krishnaswami ,  Sei-Hyung Ryu ,  D. Capell

IPC分类号： H01L31/0312

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/7325

摘要： A bipolar junction transistor (BJT) includes a silicon carbide (SiC) collector layer of first conductivity type, an epitaxial silicon carbide base layer of second conductivity type on the silicon carbide collector layer, and an epitaxial silicon carbide emitter mesa of the first conductivity type on the epitaxial silicon carbide base layer. An epitaxial silicon carbide passivation layer of the first conductivity type is provided on at least a portion of the epitaxial silicon carbide base layer outside the silicon carbide emitter mesa. The epitaxial silicon carbide passivation layer can be configured to fully deplete at zero device bias. Related fabrication methods also are disclosed.

摘要翻译： 双极结型晶体管（BJT）包括第一导电类型的碳化硅（SiC）集电极层，在碳化硅集电极层上的第二导电类型的外延碳化硅基底层和第一导电类型的外延碳化硅发射极台面 在外延碳化硅基底层上。 第一导电类型的外延碳化硅钝化层设置在碳化硅发射极台面外部的外延碳化硅基底层的至少一部分上。 外延碳化硅钝化层可以被配置为在零器件偏置下完全耗尽。 还公开了相关的制造方法。