公开(公告)号：US06771545B1

公开(公告)日：2004-08-03

申请号：US10353558

申请日：2003-01-29

申请人： Edward Hsia ,  Eric Ajimine ,  Darlene G. Hamilton ,  Pauling Chen ,  Ming-Huei Shieh ,  Mark W. Randolph ,  Edward Runnion ,  Yi He

发明人： Edward Hsia ,  Eric Ajimine ,  Darlene G. Hamilton ,  Pauling Chen ,  Ming-Huei Shieh ,  Mark W. Randolph ,  Edward Runnion ,  Yi He

IPC分类号： G11C1604

CPC分类号： G11C29/82 ,  G11C16/0491 ,  G11C16/3404

摘要： An array of non-volatile memory cells includes active columns of cells wherein a data pattern may be stored adjacent to damaged or inactive columns wherein data is not stored. A method of storing a data pattern and reproducing the data pattern within such an array comprises storing a charge within a selected plurality of the memory cells within the active column. The selected plurality of memory cells represents a portion of the data pattern. An inactive memory cell programming pattern is identified. The inactive memory cell programming pattern identifies all, or a selected plurality, of the memory cells in the inactive column in which a charge is to be stored for the purpose of periodically storing a charge in the memory cells first inactive column to prevent over erasure, during bulk erase, and leakage from the inactive cells to adjacent active cells. A charge is stored on the selected plurality of the memory cells in the first inactive column. The data pattern is reproduced reading each memory cell within the first active column.

摘要翻译： 非易失性存储器单元的阵列包括有效的单元格列，其中数据模式可以存储在与不存储数据的损坏或非活动列相邻的位置。 存储数据模式并在其中再现数据模式的方法包括将电荷存储在活动列内的所选择的多个存储单元内。 所选择的多个存储单元表示数据模式的一部分。 识别非活动存储器单元编程模式。 非活动存储器单元编程模式识别要在其中存储电荷的所述非活动列中的所有或选定的多个存储单元，以便在存储单元的第一非活动列中周期性地存储电荷以防止过度擦除， 在批量擦除期间以及从非活性电池泄漏到相邻的活性电池。 在第一非活动列中的所选择的多个存储器单元上存储电荷。 读取在第一活动列内的每个存储单元的数据模式。