公开(公告)号：US08518798B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US12888454

申请日：2010-09-23

申请人： Eric Graetz

发明人： Eric Graetz

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/76256

摘要： One or more embodiments relate to a method for forming a semiconductor structure, including: forming a semiconductor layer; and forming a dielectric layer over a back side of said semiconductor layer. In one or more embodiments, the dielectric layer may be a silicone rubber layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及一种用于形成半导体结构的方法，包括：形成半导体层; 以及在所述半导体层的背面上形成介电层。 在一个或多个实施例中，电介质层可以是硅橡胶层。

公开(公告)号：US20130299871A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13471453

申请日：2012-05-14

申请人： Anton MAUDER ,  Eric GRAETZ

发明人： Anton MAUDER ,  Eric GRAETZ

IPC分类号： H01L27/082 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7394 ,  H01L27/082 ,  H01L27/12

摘要： Representative implementations of devices and techniques provide a high-voltage device on a semiconductor substrate. An insulating polymer layer is formed on an opposite surface to the high-voltage device, the insulating polymer layer having a thickness of at least twice that of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 器件和技术的代表性实现在半导体衬底上提供高电压器件。 绝缘聚合物层形成在与高电压器件相对的表面上，绝缘聚合物层的厚度至少为半导体衬底的厚度的两倍。

公开(公告)号：US20120074517A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US12888454

申请日：2010-09-23

申请人： Eric GRAETZ

发明人： Eric GRAETZ

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/76256

摘要： One or more embodiments relate to a method for forming a semiconductor structure, including: forming a semiconductor layer; and forming a dielectric layer over a back side of said semiconductor layer. In one or more embodiments, the dielectric layer may be a silicone rubber layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及一种用于形成半导体结构的方法，包括：形成半导体层; 以及在所述半导体层的背面上形成介电层。 在一个或多个实施例中，电介质层可以是硅橡胶层。

公开(公告)号：US08835978B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13471453

申请日：2012-05-14

申请人： Anton Mauder ,  Eric Graetz

发明人： Anton Mauder ,  Eric Graetz

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7394 ,  H01L27/082 ,  H01L27/12

摘要： Representative implementations of devices and techniques provide a high-voltage device on a semiconductor substrate. An insulating polymer layer is formed on an opposite surface to the high-voltage device, the insulating polymer layer having a thickness of at least twice that of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 器件和技术的代表性实现在半导体衬底上提供高电压器件。 绝缘聚合物层形成在与高电压器件相对的表面上，绝缘聚合物层的厚度至少为半导体衬底的厚度的两倍。