公开(公告)号：US5012476A

公开(公告)日：1991-04-30

申请号：US313974

申请日：1989-01-11

申请人： Manijeh Razeghi ,  Martin Defour ,  Franck Omnes ,  Philippe Maurel ,  Robert Blondeau ,  Michel Krakowski

发明人： Manijeh Razeghi ,  Martin Defour ,  Franck Omnes ,  Philippe Maurel ,  Robert Blondeau ,  Michel Krakowski

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  H01L29/15 ,  H01L29/267 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/18 ,  H01S5/343

CPC分类号： B82Y20/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/84 ,  H01L29/15 ,  H01L29/155 ,  H01L29/267 ,  H01L33/0066 ,  H01S2301/173 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/18 ,  H01S5/34306

摘要： A device for use as a laser includes a component (C) of semiconductor material formed on a substrate (1) having a different lattice parameter. The substrate (1) is covered with a silicon layer (2) which is in turn covered with a matching superlattice (3) on which the component (C) is formed. The device is more particularly applicable to a component formed on diamond.

摘要翻译： PCT No.PCT / FR88 / 00269 Sec。 371日期：1989年1月11日 102（e）日期1989年1月11日PCT提交1988年5月27日PCT公布。 公开号WO88 / 10007 日期为1988年12月15日。作为激光器使用的器件包括形成在具有不同晶格参数的衬底（1）上的半导体材料的部件（C）。 衬底（1）被硅层（2）覆盖，硅层（2）又被形成有组分（C）的匹配超晶格（3）覆盖。 该装置更特别适用于形成在金刚石上的部件。

公开(公告)号：US4897699A

公开(公告)日：1990-01-30

申请号：US247390

申请日：1988-09-21

申请人： Manijeh Razeghi ,  Robert Blondeau ,  Franck Omnes ,  Martin Defour ,  Gerard Doriath

发明人： Manijeh Razeghi ,  Robert Blondeau ,  Franck Omnes ,  Martin Defour ,  Gerard Doriath

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0066 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544

摘要： Disclosed is an optoelectronic device implanted on a silicon substrate and comprising, in particular, on this substrate, a set of matching layers on which there is made a first confinement layer based on indium phosphide, an active layer based on Ga.sub.x In.sub.1-x As.sub.1-y and a second active layer of indium phosphide.

摘要翻译： 公开了一种植入硅衬底上的光电子器件，特别是在该衬底上，包括一组匹配层，其上形成基于磷化铟的第一限制层，基于Gax In 1-x As1- y和磷化铟的第二有源层。