公开(公告)号：US4220488A

公开(公告)日：1980-09-02

申请号：US17969

申请日：1979-03-06

申请人： Jean-Pascal Duchemin ,  Daniel Leguen ,  Michel Bonnet ,  Francois Koelsch ,  Gerard Beuchet

发明人： Jean-Pascal Duchemin ,  Daniel Leguen ,  Michel Bonnet ,  Francois Koelsch ,  Gerard Beuchet

IPC分类号： C01G15/00 ,  C01B25/08 ,  C23C16/30 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  Y10S148/059 ,  Y10S148/065

摘要： A process and an apparatus for epitaxy in a gaseous phase, producing thin and homogeneous layers of monocrystalline indium phosphide. The process comprises two steps. In the first step, the phosphine is decomposed in a pyrolysis chamber which extends through a kiln in accordance with the reaction: ##EQU1## Thereafter, in a second step, the phosphorus is reacted with triethylindium in an atmosphere of hydrogen and nitrogen: ##EQU2## The residual gases are drawn off by a vacuum pump.

摘要翻译： 用于在气相中外延生长的方法和装置，产生薄均匀的单晶磷化铟层。 该过程包括两个步骤。 在第一步中，磷化氢在热解室中分解，该热解室根据以下反应延伸穿过窑炉。此后，在第二步中，磷在氢气和氮气气氛中与三乙基铟反应：残留气体由真空泵抽出。