公开(公告)号：US08677929B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13338173

申请日：2011-12-27

申请人： Alexander J. Berger ,  Terry Bluck ,  Vinay Shah ,  Judy Huang ,  Karthik Janakiraman ,  Chau T. Nguyen ,  Greg Stumbo

发明人： Alexander J. Berger ,  Terry Bluck ,  Vinay Shah ,  Judy Huang ,  Karthik Janakiraman ,  Chau T. Nguyen ,  Greg Stumbo

IPC分类号： B05C3/00 ,  B05C19/02 ,  B65G37/00 ,  B65G47/12 ,  H01L21/00 ,  H01L25/00 ,  B05D1/18

CPC分类号： H01L31/1876 ,  B05D1/322 ,  B05D1/327 ,  C23C14/042 ,  C23C16/042 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： Disclosed are methods and apparatus for masking of substrates for deposition, and subsequent lifting of the mask with deposited material. Masking materials are utilized that can be used in high temperatures and vacuum environment. The masking material has minimal outgassing once inside a vacuum chamber and withstand the temperatures during deposition process. The mask is inkjeted over the wafers and, after deposition, removed using agitation, such as ultrasonic agitation, or using laser burn off.

摘要翻译： 公开了用于掩蔽用于沉积的基底的方法和装置，以及随后用沉积材料提起掩模。 使用可在高温和真空环境中使用的遮蔽材料。 掩模材料一旦在真空室内就具有最小的除气，并能承受沉积过程中的温度。 将掩模喷涂在晶片上，并且在沉积之后，使用搅拌（例如超声波搅拌）或使用激光烧掉来除去掩模。

公开(公告)号：US20120171807A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13338173

申请日：2011-12-27

申请人： Alexander J. BERGER ,  Terry BLUCK ,  Vinay SHAH ,  Judy HUANG ,  Karthik JANAKIRAMAN ,  Chau T. NGUYEN ,  Greg STUMBO

发明人： Alexander J. BERGER ,  Terry BLUCK ,  Vinay SHAH ,  Judy HUANG ,  Karthik JANAKIRAMAN ,  Chau T. NGUYEN ,  Greg STUMBO

IPC分类号： H01L31/18 ,  B05B15/00 ,  B05B1/00

CPC分类号： H01L31/1876 ,  B05D1/322 ,  B05D1/327 ,  C23C14/042 ,  C23C16/042 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： Disclosed are methods and apparatus for masking of substrates for deposition, and subsequent lifting of the mask with deposited material. Masking materials are utilized that can be used in high temperatures and vacuum environment. The masking material has minimal outgassing once inside a vacuum chamber and withstand the temperatures during deposition process. The mask is inkjeted over the wafers and, after deposition, removed using agitation, such as ultrasonic agitation, or using laser burn off.

摘要翻译： 公开了用于掩蔽用于沉积的基底的方法和装置，以及随后用沉积材料提起掩模。 使用可在高温和真空环境中使用的遮蔽材料。 掩模材料一旦在真空室内就具有最小的除气，并能承受沉积过程中的温度。 将掩模喷涂在晶片上，并且在沉积之后，使用搅拌（例如超声波搅拌）或使用激光烧掉来除去掩模。