公开(公告)号：US07547914B2

公开(公告)日：2009-06-16

申请号：US11653760

申请日：2007-01-16

申请人： Olivier Kermarec ,  Yves Campidelli ,  Guillaume Pin

发明人： Olivier Kermarec ,  Yves Campidelli ,  Guillaume Pin

IPC分类号： H01L31/036

CPC分类号： H01L21/7624 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02661

摘要： The process relates to the production of a layer of a single-crystal first material on a second material. The second material has at least one aperture exposing a surface portion of a single-crystal third material. The process generally includes forming an at least partially crystalline first layer of said first material on said surface portion of the third material. Then, an amorphous or partially crystalline second layer of the first material is formed on the at least partially crystalline first layer of the first material and on one part of the second material that is around said aperture. Finally, the process includes recrystallization annealing of the first material. Thus, it is possible to produce, within one and the same wafer, either transistors on a germanium-on-insulator substrate with transistors on a silicon-on-insulator substrate, or transistors on a germanium-on-insulator substrate with transistors on a silicon substrate.

摘要翻译： 该方法涉及在第二材料上生产单晶第一材料层。 第二材料具有暴露单晶第三材料的表面部分的至少一个孔。 该方法通常包括在第三材料的所述表面部分上形成所述第一材料的至少部分结晶的第一层。 然后，第一材料的无定形或部分结晶的第二层形成在第一材料的至少部分结晶的第一层上和在围绕所述孔的第二材料的一部分上。 最后，该方法包括第一材料的再结晶退火。 因此，可以在同一晶片内产生绝缘体上的衬底上的晶体管，其中绝缘体上硅衬底上的晶体管或绝缘体上锗衬底上的晶体管，其上具有晶体管 硅衬底。

公开(公告)号：US20070278494A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11653760

申请日：2007-01-16

申请人： Olivier Kermarec ,  Yves Campidelli ,  Guillaume Pin

发明人： Olivier Kermarec ,  Yves Campidelli ,  Guillaume Pin

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L21/7624 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02661

摘要： The process relates to the production of a layer of a single-crystal first material on a second material. The second material has at least one aperture exposing a surface portion of a single-crystal third material. The process generally includes forming an at least partially crystalline first layer of said first material on said surface portion of the third material. Then, an amorphous or partially crystalline second layer of the first material is formed on the at least partially crystalline first layer of the first material and on one part of the second material that is around said aperture. Finally, the process includes recrystallization annealing of the first material. Thus, it is possible to produce, within one and the same wafer, either transistors on a germanium-on-insulator substrate with transistors on a silicon-on-insulator substrate, or transistors on a germanium-on-insulator substrate with transistors on a silicon substrate.

摘要翻译： 该方法涉及在第二材料上生产单晶第一材料层。 第二材料具有暴露单晶第三材料的表面部分的至少一个孔。 该方法通常包括在第三材料的所述表面部分上形成所述第一材料的至少部分结晶的第一层。 然后，第一材料的无定形或部分结晶的第二层形成在第一材料的至少部分结晶的第一层上和围绕所述孔的第二材料的一部分上。 最后，该方法包括第一材料的再结晶退火。 因此，可以在同一晶片内产生绝缘体上的衬底上的晶体管，其中绝缘体上硅衬底上具有晶体管，或者在绝缘体上的锗衬底上的晶体管上， 硅衬底。