公开(公告)号：US08603386B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US11980918

申请日：2007-10-31

申请人： Stephen Y. Chou ,  Zengli Fu ,  Lei Chen ,  Haixlong Ge

发明人： Stephen Y. Chou ,  Zengli Fu ,  Lei Chen ,  Haixlong Ge

IPC分类号： B29C35/08

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： The invention is directed to new nanoimprint resist and thin-film compositions for use in nanoimprinting lithography. The compositions permit economical high-throughput mass production, using nanoimprint processes, of patterns having sub-200 nm, and even sub-50 nm features.

摘要翻译： 本发明涉及用于纳米压印光刻的新的纳米压印抗蚀剂和薄膜组合物。 该组合物允许使用纳米压印工艺的具有亚200nm，甚至低于50nm特征的图案的经济高通量大批量生产。

公开(公告)号：US20080277826A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US11980918

申请日：2007-10-31

申请人： Stephen Y. Chou ,  Zengli Fu ,  Lei Chen ,  Haixlong Ge

发明人： Stephen Y. Chou ,  Zengli Fu ,  Lei Chen ,  Haixlong Ge

IPC分类号： B28B11/08 ,  B32B27/00

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： The invention is directed to new nanoimprint resist and thin-film compositions for use in nanoimprinting lithography. The compositions permit economical high-throughput mass production, using nanoimprint processes, of patterns having sub-200 nm, and even sub-50 nm features.

摘要翻译： 本发明涉及用于纳米压印光刻的新型纳米压印抗蚀剂和薄膜组合物。 该组合物允许使用纳米压印工艺的具有亚200nm，甚至低于50nm特征的图案的经济高通量大批量生产。