公开(公告)号：US5500386A

公开(公告)日：1996-03-19

申请号：US478340

申请日：1995-06-07

申请人： Shoji Matsumoto ,  Hideo Nikou ,  Satoshi Nakagawa

发明人： Shoji Matsumoto ,  Hideo Nikou ,  Satoshi Nakagawa

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/70

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/32135 ,  Y10S148/014

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device, where on top of a substrate having already-completed circuit elements and wiring, etc., an insulation underlayer a, Pt layer for a bottom electrode, a dielectric film and a Pt layer for a top electrode are shaped.A top electrode, capacitance insulation film and bottom electrode are formed by etching the Pt layer for the top electrode or the Pt layer for the bottom electrode using an etching gas contained an S component while composing a Pt and S compound. Alternatively the Pt and S compound can be composed first, and then the compound can be etched.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，其中在已经完成的电路元件和布线等的基板的顶部上，绝缘底层a，用于底部电极的Pt层，电介质膜和用于顶部电极的Pt层是 成形。 通过在构成Pt和S化合物的同时，使用包含S成分的蚀刻气体，蚀刻用于顶部电极的Pt层或底部电极的Pt层来形成顶部电极，电容绝缘膜和底部电极。 或者，可以首先组成Pt和S化合物，然后可以蚀刻化合物。

公开(公告)号：US5492855A

公开(公告)日：1996-02-20

申请号：US364115

申请日：1994-12-27

申请人： Shoji Matsumoto ,  Hideo Nikou ,  Satoshi Nakagawa

发明人： Shoji Matsumoto ,  Hideo Nikou ,  Satoshi Nakagawa

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/32135 ,  Y10S148/014

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device, where on top of a substrate having already-completed circuit elements and wiring, etc., an insulation underlayer a, Pt layer for a bottom electrode, a dielectric film and a Pt layer for a top electrode are shaped. A top electrode, capacitance insulation film and bottom electrode are formed by etching the Pt layer for the top electrode or the Pt layer for the bottom electrode using an etching gas contained a S component while composing a Pt and S compound. Alternatively the Pt and S compound can be composed first, and then the compound can be etched.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，其中在已经完成的电路元件和布线等的基板的顶部上，绝缘底层a，用于底部电极的Pt层，电介质膜和用于顶部电极的Pt层是 成形。 通过在构成Pt和S化合物的同时，使用包含S成分的蚀刻气体，蚀刻用于顶部电极的Pt层或底部电极的Pt层来形成顶部电极，电容绝缘膜和底部电极。 或者，可以首先组成Pt和S化合物，然后可以蚀刻化合物。