公开(公告)号：US5856231A

公开(公告)日：1999-01-05

申请号：US596119

申请日：1996-04-12

申请人： Ekkehard Niemann ,  Juergen Schneider ,  Harald Mueller ,  Karin Maier, deceased ,  Hildegard Inge Maier, heiress ,  Elke Maier, heiress

发明人： Ekkehard Niemann ,  Juergen Schneider ,  Harald Mueller ,  Karin Maier, deceased ,  Hildegard Inge Maier, heiress ,  Elke Maier, heiress

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  H01L21/04 ,  H01L21/322 ,  H01L29/161 ,  H01L29/24 ,  H01L29/38 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/1608 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/0445 ,  Y10S438/931

摘要： A process for producing high-resistance SiC from low-resistance SiC starting material. The flat (shallow) donor levels of a prevailing nitrogen impurity are overcompensated by admixture of a trivalent doping element with the concentration of the doping element in the SiC being such that it changes the conductivity type from a n-conductivity to a p-conductivity. In addition, a transition element is added having donor levels approximately in the middle of the SiC energy gap, so that the excess acceptor levels are in turn compensated and a high specific resistance is achieved.

摘要翻译： PCT No.PCT / EP94 / 02400 Sec。 371日期：1996年4月12日 102（e）日期1996年4月12日PCT提交1994年7月21日PCT公布。 公开号WO95 / 04171 日期1995年2月9日由低电阻SiC原料制造高电阻SiC的方法。 主要氮杂质的扁平（浅）供体水平通过三价掺杂元素与SiC中掺杂元素的浓度的混合而过度补偿，使得其将导电类型从n导电性改变为p导电性。 此外，添加具有大约在SiC能隙的中间的供体水平的过渡元素，从而反过来补偿过量的受体水平并实现高的电阻率。