公开(公告)号：US5838604A

公开(公告)日：1998-11-17

申请号：US803448

申请日：1997-02-20

申请人： Hironobu Tsuboi ,  Yoshinori Okajima ,  Tsuyoshi Higuchi ,  Makoto Koga

发明人： Hironobu Tsuboi ,  Yoshinori Okajima ,  Tsuyoshi Higuchi ,  Makoto Koga

IPC分类号： G11C11/41 ,  G11C5/02 ,  G11C7/10 ,  G11C11/401 ,  G11C11/407 ,  G11C11/409 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  G11C5/06

CPC分类号： G11C5/025 ,  G11C11/409 ,  G11C7/10

摘要： A semiconductor memory device includes a plurality of bit lines, first sense amplifiers each connected to a corresponding one of the plurality of bit lines, and a first data bus laid out in parallel to the plurality of bit lines and connected to the plurality of bit lines via gates and the first sense amplifiers. The semiconductor memory device further includes column-selection lines laid out perpendicularly to the plurality of bit lines to open at least one of the gates to connect the first data bus to the plurality of bit lines.

摘要翻译： 半导体存储器件包括多个位线，每个连接到多个位线中的相应一个位线的第一读出放大器和与多个位线并联布置并连接到多个位线的第一数据总线 通过门和第一感测放大器。 半导体存储器件还包括垂直于多个位线布置的列选择线，以打开至少一个栅极，以将第一数据总线连接到多个位线。