公开(公告)号：US20130146885A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13315705

申请日：2011-12-09

申请人： Richard J. Brown ,  Hui Nei ,  Andrew Edwards ,  Isik Kizilyalli ,  David Bour ,  Thomas Prunty ,  Linda Romano ,  Madhan Raj

发明人： Richard J. Brown ,  Hui Nei ,  Andrew Edwards ,  Isik Kizilyalli ,  David Bour ,  Thomas Prunty ,  Linda Romano ,  Madhan Raj

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7828

摘要： A semiconductor structure includes a III-nitride substrate having a top surface and an opposing bottom surface and a first III-nitride layer of a first conductivity type coupled to the top surface of the III-nitride substrate. The semiconductor structure also includes a second III-nitride layer of a second conductivity type coupled to the first III-nitride layer along a vertical direction and a third III-nitride layer of a third conductivity type coupled to the second III-nitride layer along the vertical direction. The semiconductor structure further includes a first trench extending through a portion of the third III-nitride layer to the first III-nitride layer, a second trench extending through another portion of the third III-nitride layer to the second III-nitride layer, and a first metal layer coupled to the second and the third III-nitride layers.

摘要翻译： 半导体结构包括具有顶表面和相对底表面的III族氮化物衬底和与III族氮化物衬底的顶表面耦合的第一导电类型的第一III族氮化物层。 半导体结构还包括沿着垂直方向耦合到第一III族氮化物层的第二导电类型的第二III族氮化物层，以及沿着沿着垂直方向耦合到第二III族氮化物层的第三导电类型的第三III族氮化物层 垂直方向 半导体结构还包括延伸穿过第三III族氮化物层的一部分到第一III族氮化物层的第一沟槽，延伸穿过第三III族氮化物层的另一部分到第二III族氮化物层的第二沟槽，以及 耦合到第二和第三III族氮化物层的第一金属层。