公开(公告)号：US20050127293A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10959174

申请日：2004-10-07

申请人： Young-Wan Kim ,  Sang-Kil Lee ,  Byung-Am Lee ,  Jin-Woo Lee ,  Hyo-Sang Cho

发明人： Young-Wan Kim ,  Sang-Kil Lee ,  Byung-Am Lee ,  Jin-Woo Lee ,  Hyo-Sang Cho

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01N23/00 ,  G03B27/34 ,  G03F7/207 ,  H01J37/21 ,  H01J37/28 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01J37/21 ,  H01J2237/216

摘要： An auto focusing method and apparatus for quantifying a focusing average value, comparing the focusing average value with an acceptance level of a preset focusing evaluation value, and iteratively focusing, while widening the depth of focus, when the focusing average value is lower than the acceptance level.

摘要翻译： 一种自动对焦方法和装置，用于量化聚焦平均值，将聚焦平均值与预设聚焦评估值的接受水平进行比较，并且在聚焦平均值低于接受度的同时，在加深焦深的同时进行迭代聚焦 水平。

公开(公告)号：US07205543B2

公开(公告)日：2007-04-17

申请号：US10959174

申请日：2004-10-07

申请人： Yong-Wan Kim ,  Sang-Kil Lee ,  Byung-Am Lee ,  Jin-Woo Lee ,  Hyo-Sang Cho

发明人： Yong-Wan Kim ,  Sang-Kil Lee ,  Byung-Am Lee ,  Jin-Woo Lee ,  Hyo-Sang Cho

IPC分类号： G01N23/00

CPC分类号： H01J37/21 ,  H01J2237/216

摘要： An auto focusing method and apparatus for determining a focusing evaluation value, comparing the focusing evaluation value with an acceptance level of a preset focusing evaluation value, and iteratively focusing, while widening the depth of focus, when the focusing evaluation value is lower than the acceptance level.

摘要翻译： 一种自动聚焦方法和装置，用于确定聚焦评价值，将聚焦评价值与预设聚焦评价值的接受水平进行比较，并且在聚焦评价值低于接受度的同时，在扩大聚焦深度的同时进行反复聚焦 水平。

公开(公告)号：US20050141761A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：US11022775

申请日：2004-12-28

申请人： Jin-Woo Lee ,  Sang-Kil Lee ,  Byung-Am Lee ,  Yong-Wan Kim ,  Hyo-Sang Cho ,  Byung-Seol Ahn

发明人： Jin-Woo Lee ,  Sang-Kil Lee ,  Byung-Am Lee ,  Yong-Wan Kim ,  Hyo-Sang Cho ,  Byung-Seol Ahn

IPC分类号： G01B15/00 ,  G01B21/02 ,  G03F7/20 ,  G06K9/00 ,  G06T7/00 ,  H01L21/66

CPC分类号： G03F7/70625 ,  G03F7/70491 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/30148

摘要： An apparatus and method for measuring a dimension of a pattern on a semiconductor device are provided. The method may include at least overlapping a reference pattern with an actual pattern that may be formed on a substrate, comparing the actual pattern with the reference pattern to determine whether the actual pattern may be aligned with the reference pattern, moving the actual pattern or the reference pattern in accordance with the results of the comparison to align the actual pattern with the reference pattern, and measuring a dimension of the actual pattern.

摘要翻译： 提供了一种用于测量半导体器件上的图案的尺寸的装置和方法。 该方法可以包括至少将参考图案与可以形成在基板上的实际图案重叠，将实际图案与参考图案进行比较以确定实际图案是否可以与参考图案对准，移动实际图案或 参考图案根据比较结果将实际图案与参考图案对齐，并测量实际图案的尺寸。