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公开(公告)号：US2948230A
公开(公告)日：1960-08-09
申请号：US65302257
申请日：1957-04-15
Applicant: IND RES COMPANY
Inventor： SHELTON LUTHER L
IPC: F04C2/344
CPC classification number: F04C2/3448
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公开(公告)号：US1850587A
公开(公告)日：1932-03-22
申请号：US20302127
申请日：1927-07-02
Applicant: IND RES COMPANY
Inventor： ABRAHAM JOFFE
IPC: G05F3/08
CPC classification number: G05F3/08
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公开(公告)号：US1827016A
公开(公告)日：1931-10-13
申请号：US20302327
申请日：1927-07-02
Applicant: IND RES COMPANY
Inventor： ABRAHAM JOFFE
IPC: H01L31/08
CPC classification number: H01L31/08
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：US1907547A
公开(公告)日：1933-05-09
申请号：US20302027
申请日：1927-07-02
Applicant: IND RES COMPANY
Inventor： ABRAHAM JOFFE
IPC: H01L21/34 , H01L21/479 , H01L29/00 , H01L29/24
CPC classification number: H01L29/00 , H01L21/34 , H01L21/479 , H01L29/24
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5.发明授权Process for forming on the surface of a dielectric a thin layer, in which the potential fall is concentrated 失效在电介质的表面上形成其中电势下降集中的薄层的工艺
公开(公告)号：US1865693A
公开(公告)日：1932-07-05
申请号：US16077227
申请日：1927-01-12
Applicant: IND RES COMPANY
Inventor： ABRAHAM JOFFE
IPC: H01B3/00
CPC classification number: H01B3/004
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公开(公告)号：US1807292A
公开(公告)日：1931-05-26
申请号：US16845027
申请日：1927-02-15
Applicant: IND RES COMPANY
Inventor： ABRAHAM JOFFE
IPC: H04R17/00
CPC classification number: H04R17/00
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公开(公告)号：US2945466A
公开(公告)日：1960-07-19
申请号：US64629957
申请日：1957-03-15
Applicant: IND RES COMPANY
Inventor： SHELTON LUTHER L
IPC: B63B1/18
CPC classification number: B63B1/18
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公开(公告)号：US1864828A
公开(公告)日：1932-06-28
申请号：US10921426
申请日：1926-05-15
Applicant: IND RES COMPANY
Inventor： ABRAHAM JOFFE
IPC: H01G7/02
CPC classification number: H01G7/025
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