公开(公告)号：US08743612B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13605942

申请日：2012-09-06

申请人： Eun Seok Choi ,  Jung Ryul Ahn ,  Se Hoon Kim ,  Yong Dae Park ,  In Geun Lim ,  Jung Seok Oh

发明人： Eun Seok Choi ,  Jung Ryul Ahn ,  Se Hoon Kim ,  Yong Dae Park ,  In Geun Lim ,  Jung Seok Oh

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0483 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11582

摘要： A three-dimensional (3-D) non-volatile memory device according to embodiment of the present invention includes a plurality of bit lines, at least one string row extending in a first direction coupled to the bit lines and including 2N strings, wherein the N includes a natural number, a common source selection line configured to control source selection transistors of the 2N strings included in a memory block, a first common drain selection line configured to control drain selection transistors of a first string and a 2N-th string among the 2N strings included in a memory block, and N−1 second common drain selection lines configured to control drain selection transistors of adjacent strings in the first direction among remaining strings other than the first string and the 2N-th string.

摘要翻译： 根据本发明的实施例的三维（3-D）非易失性存储器件包括多个位线，至少一个串行沿第一方向延伸，耦合到位线并包括2N个字符串，其中， N包括自然数，被配置为控制包括在存储块中的2N串的源选择晶体管的公共源选择线，被配置为控制第一串的漏极选择晶体管和第2N串的第2N串的第一公共漏极选择线 包括在存储块中的2N个串，以及N-1个第二公共漏极选择线，被配置为控制除第一串和第2N个串之外的剩余串之中的第一方向上的相邻串的漏极选择晶体管。

公开(公告)号：US20130194869A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13605942

申请日：2012-09-06

申请人： Eun Seok CHOI ,  Jung Ryul Ahn ,  Se Hoon Kim ,  Young Dae Park ,  In Geun Lim ,  Jung Seok Oh

发明人： Eun Seok CHOI ,  Jung Ryul Ahn ,  Se Hoon Kim ,  Young Dae Park ,  In Geun Lim ,  Jung Seok Oh

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0483 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11582

摘要： A three-dimensional (3-D) non-volatile memory device according to embodiment of the present invention includes a plurality of bit lines, at least one string row extending in a first direction coupled to the bit lines and including 2N strings, wherein the N includes a natural number, a common source selection line configured to control source selection transistors of the 2N strings included in a memory block, a first common drain selection line configured to control drain selection transistors of a first string and a 2N-th string among the 2N strings included in a memory block, and N−1 second common drain selection lines configured to control drain selection transistors of adjacent strings in the first direction among remaining strings other than the first string and the 2N-th string.

摘要翻译： 根据本发明的实施例的三维（3-D）非易失性存储器件包括多个位线，至少一个串行沿第一方向延伸，耦合到位线并包括2N个字符串，其中， N包括自然数，被配置为控制包括在存储块中的2N串的源选择晶体管的公共源选择线，被配置为控制第一串的漏极选择晶体管和第2N串的第2N串的第一公共漏极选择线 包括在存储块中的2N个串，以及N-1个第二公共漏极选择线，被配置为控制除第一串和第2N个串之外的剩余串之中的第一方向上的相邻串的漏极选择晶体管。