公开(公告)号：US20080029032A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：US11461643

申请日：2006-08-01

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Irene A. Chou

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Irene A. Chou

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23C16/00

CPC分类号： H02N13/00 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68757

摘要： Embodiments of the present invention provide a substrate support assembly having a protective layer that enhances plasma resistance. In one embodiment, a substrate support assembly includes an electrostatic chuck having an upper substrate support surface, and a protective layer disposed on the electrostatic chuck, wherein the protective layer is fabricated by a ceramic material containing a rare earth metal.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了具有增强等离子体电阻的保护层的基板支撑组件。 在一个实施例中，基板支撑组件包括具有上基板支撑表面的静电卡盘和设置在静电卡盘上的保护层，其中保护层由含有稀土金属的陶瓷材料制成。

公开(公告)号：US20090142247A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US11999083

申请日：2007-12-03

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Irene A. Chou ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins ,  Thomas Graves

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Irene A. Chou ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins ,  Thomas Graves

IPC分类号： H01L21/302 ,  C01B31/36

CPC分类号： C23C16/4404 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5353 ,  C04B41/91 ,  C04B35/565

摘要： Method of removing damaged silicon carbide crystalline structure from the surface of a silicon carbide component. The method comprises at least two liquid chemical treatment processes, where one treatment converts silicon carbide to silicon oxide, and another treatment removes silicon oxide. The liquid chemical treatments are typically carried out at a temperature below about 100° C. The time period required to carry out the method is generally less than about 100 hours.

摘要翻译： 从碳化硅组件的表面去除损坏的碳化硅晶体结构的方法。 该方法包括至少两种液体化学处理方法，其中一种处理将碳化硅转化为氧化硅，另一种处理将氧化硅除去。 液体化学处理通常在低于约100℃的温度下进行。进行该方法所需的时间通常小于约100小时。