公开(公告)号：US07053019B2

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：US10606859

申请日：2003-06-27

申请人： Li-Mei Chen ,  Chao-Jen Wang ,  Chien-Hsien Yu ,  Jen-Po Lin

发明人： Li-Mei Chen ,  Chao-Jen Wang ,  Chien-Hsien Yu ,  Jen-Po Lin

IPC分类号： C04B35/468

CPC分类号： H01L21/02197 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3251 ,  C23C14/088 ,  H01C7/008 ,  H01C17/06533 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/1254 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691

摘要： A new dielectric material composition with high dielectric constant and low dielectric loss, which includes a quaternary metallic oxide having a pervoskite structure and represented by a general formula, Ba1-xM1xTi1-yM2yOm. It is suitable for Gbit memory devices, embedded capacitance devices in multilayered structures, and modulable capacitors for high frequency devices.

摘要翻译： 一种具有高介电常数和低介电损耗的新型介电材料组合物，其包括具有渗透性结构并由通式Ba 1-x M 1 O 2表示的季金属氧化物 > 1 适用于Gbit存储器件，多层结构中的嵌入式电容器件和高频器件的可调电容器。