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    Reduced area intersection between electrode and programming element
    1.
    发明授权
    Reduced area intersection between electrode and programming element 有权
    电极与编程元件之间的减少交点

    公开(公告)号：US07572666B2

    公开(公告)日：2009-08-11

    申请号：US10438146

    申请日：2003-05-13

    申请人： Charles H. Dennison ,  Alice T. Wang ,  Kanaiyalal Chaturbhai Patel ,  Jenn C. Chow

    发明人： Charles H. Dennison ,  Alice T. Wang ,  Kanaiyalal Chaturbhai Patel ,  Jenn C. Chow

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L21/761 ,  H01L27/24

    摘要： A method comprising forming a first dielectric layer over an electrode formed to a first contact point on a substrate, the electrode having a contact area; patterning the first dielectric layer into a body, a thickness of the first dielectric layer defining a side wall; forming at least one spacer along the side wall of the first dielectric body, the at least one spacer overlying a portion of the contact area; forming a second dielectric layer on the contact area; removing the at least one spacer; and forming a material comprising a second contact point to the contact area. An apparatus comprising a volume of programmable material; a conductor; and an electrode disposed between the volume of programmable material and the conductor, the electrode having a contact area coupled to the volume of programmable material.

    摘要翻译： 一种方法，包括在形成于基底上的第一接触点的电极上形成第一介电层，所述电极具有接触面积; 将第一介电层图案化成体，第一介电层的厚度限定侧壁; 沿着所述第一电介质体的侧壁形成至少一个间隔物，所述至少一个间隔件覆盖所述接触区域的一部分; 在所述接触区域上形成第二电介质层; 去除所述至少一个间隔物; 以及形成包括接触区域的第二接触点的材料。 一种包括一定量的可编程材料的装置; 指挥 以及设置在所述可编程材料的体积和所述导体之间的电极，所述电极具有耦合到所述可编程材料的体积的接触面积。