公开(公告)号：US20130337174A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：US13897339

申请日：2013-05-17

申请人： Christof Goebert ,  Frank Ulmer ,  Hendrik Zachmann ,  Jens Roessler ,  Heiko Schuler ,  Frank Huber ,  Oliver Leifeld

发明人： Christof Goebert ,  Frank Ulmer ,  Hendrik Zachmann ,  Jens Roessler ,  Heiko Schuler ,  Frank Huber ,  Oliver Leifeld

IPC分类号： B05B1/00

CPC分类号： B05B1/005 ,  C23C14/24 ,  C23C14/243 ,  C23C14/56 ,  H01L31/03923

摘要： The invention relates to vaporization source, an evaporation chamber, a coating method and a nozzle plate. The vaporization source according to the invention makes it possible to generate a high, stable melt flow rate having improved layer thickness homogeneity under vacuum conditions in a selenium atmosphere. The direction of the molecular flow of the vaporization source can be adjusted with respect to the substrate support located above the vaporization source.

摘要翻译： 本发明涉及蒸发源，蒸发室，涂布方法和喷嘴板。 根据本发明的蒸发源使得可以在硒气氛中在真空条件下产生具有改善的层厚均匀性的高稳定的熔体流动速率。 蒸发源的分子流的方向可以相对于位于蒸发源上方的基底支架进行调整。