公开(公告)号：US20060038553A1

公开(公告)日：2006-02-23

申请号：US11049138

申请日：2005-02-02

申请人： Xinfen Chen ,  Xiaoju Wu ,  John Arch ,  Qingfeng Wang

发明人： Xinfen Chen ,  Xiaoju Wu ,  John Arch ,  Qingfeng Wang

IPC分类号： G01R31/28

CPC分类号： H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides a method for monitoring a shift in a buried layer in a semiconductor device and a method for manufacturing an integrated circuit using the method for monitoring the shift in the buried layer. The method for monitoring the shift in the buried layer, among other steps, includes forming a buried layer test structure (200) in, on or over a substrate (210) of a semiconductor device, the buried layer test structure (200) including a first test buried layer (230a) located in or on the substrate (210), the first test buried layer (230a) shifted a predetermined distance with respect to a first test feature (240a). The buried layer test structure (200) further includes a second test buried layer (230b) located in the substrate (210), the second test buried layer (23b) shifted a predetermined but different distance with respect to a second test feature (240b). The method for monitoring the shift in the buried layer may further include applying a test signal to the buried layer test structure (200) to determine an actual shift of the first test buried layer (230a) and the second test buried layer (230b) relative to the predetermined shift of the first and second test buried layers (230a and 230b).

摘要翻译： 本发明提供了一种用于监测半导体器件中的掩埋层的偏移的方法以及使用用于监测掩埋层中的偏移的方法来制造集成电路的方法。 用于监测掩埋层中的偏移的方法以及其他步骤包括在半导体器件的衬底（210）中或之上形成掩埋层测试结构（200），所述掩埋层测试结构（200）包括 第一测试掩埋层（230a）位于衬底（210）中或衬底（210）上，第一测试掩埋层（230a）相对于第一测试特征（240a）移动预定距离。 掩埋层测试结构（200）还包括位于衬底（210）中的第二测试掩埋层（230b），第二测试掩埋层（23b）相对于第二测试特征（预定但不同的距离）移动 240 b）。 用于监测掩埋层中的偏移的方法还可以包括将测试信号施加到掩埋层测试结构（200）以确定第一测试掩埋层（230a）和第二测试掩埋层（230b）的实际偏移 ）相对于第一和第二测试掩埋层（230a和230b）的预定位移。