公开(公告)号：US07422366B1

公开(公告)日：2008-09-09

申请号：US10939006

申请日：2004-09-10

申请人： Jonggook Kim ,  Yun Liu ,  Joseph A De Santis

发明人： Jonggook Kim ,  Yun Liu ,  Joseph A De Santis

IPC分类号： G01K7/01

CPC分类号： G01K7/01 ,  G01R31/2621

摘要： A current mirror method is provided that can be utilized to evaluate thermal issues is silicon-on-insulator (SOI) bipolar junction transistors (BJTs). The method significantly improves safe operating area (SOA) measurement sensitivity. Unlike conventional methods, the current mirror method can provide quantitative analysis of the BJTs thermal instability over a wide power range, even in the apparent SOA of the device. This method can also predict and evaluate SOA with respect to emitter ballast resistance and current crowding.

摘要翻译： 提供了可用于评估热问题的电流镜方法，即绝缘体上硅（SOI）双极结型晶体管（BJT）。 该方法显着提高了安全操作面积（SOA）测量灵敏度。 与传统方法不同，即使在器件的明显SOA中，电流镜法也可以在宽功率范围内提供BJT热不稳定性的定量分析。 该方法还可以针对发射器镇流电阻和电流拥挤来预测和评估SOA。

公开(公告)号：US06931345B1

公开(公告)日：2005-08-16

申请号：US10688550

申请日：2003-10-17

申请人： Jonggook Kim ,  Yun Liu ,  Joseph A. De Santis

发明人： Jonggook Kim ,  Yun Liu ,  Joseph A. De Santis

IPC分类号： G01R27/28 ,  G01R31/26 ,  H01L29/72

CPC分类号： G01R31/2608

摘要： A method for quantifying safe operating regions within a safe operating area (SOA) for a bipolar junction transistor (BJT) by driving the device under test (DUT) as part of a current mirror circuit and monitoring variances in the current mirror ratio for various biasing conditions.

摘要翻译： 一种用于通过驱动被测器件（DUT）作为电流镜像电路的一部分来量化用于双极结型晶体管（BJT）的安全工作区域（SOA）内的安全工作区域的方法，并且监测各种偏置的电流镜像比的方差 条件。

公开(公告)号：US07633373B1

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：US11312987

申请日：2005-12-19

申请人： Peter Johnson ,  Joseph A. De Santis ,  Richard Wendell Foote, Jr.

发明人： Peter Johnson ,  Joseph A. De Santis ,  Richard Wendell Foote, Jr.

IPC分类号： H01C10/00

CPC分类号： H01C7/006 ,  H01C17/075 ,  H01C17/28

摘要： A thin film resistor is formed to have very accurately defined dimensions which, in turn, allow the resistive value of the resistor to be very accurately defined. The resistor is formed on spaced-apart conductive pads which, in turn, are electrically connected to conductive plugs that are spaced apart from the resistor.

摘要翻译： 形成薄膜电阻器以具有非常精确地限定的尺寸，这进一步允许电阻器的电阻值被非常精确地限定。 电阻器形成在间隔开的导电焊盘上，导电焊盘又电连接到与电阻器间隔开的导电插塞。