公开(公告)号：US09315412B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US13541206

申请日：2012-07-03

申请人： Jeanne Spadinger Cavuoti ,  Donald A. Clark ,  Sean Matthew Garner ,  Gregory Scott Glaesemann ,  Jun Hou ,  Jum Sik Kim ,  Toshihiko Ono ,  Daniel Arthur Sternquist

发明人： Jeanne Spadinger Cavuoti ,  Donald A. Clark ,  Sean Matthew Garner ,  Gregory Scott Glaesemann ,  Jun Hou ,  Jum Sik Kim ,  Toshihiko Ono ,  Daniel Arthur Sternquist

IPC分类号： H01L21/00 ,  C03C15/02 ,  H01L33/58 ,  G02F1/1333

CPC分类号： H01L27/1262 ,  C03C15/02 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/02019 ,  H01L33/58 ,  Y10T428/1095

摘要： Disclosed are controlled chemical etching processes used to modify the geometry of surface flaws in thin glass substrates and glass substrate assemblies formed therefrom, and in particular glass substrates suitable for the manufacture of active matrix displays that are essentially free of alkali metal oxides such as Na2O, K2O and Li2O.

摘要翻译： 公开了用于改变由其形成的薄玻璃基板和玻璃基板组件中的表面缺陷的几何形状的受控化学蚀刻工艺，特别是适用于制造基本上不含碱金属氧化物如Na 2 O， K2O和Li2O。

公开(公告)号：US20130109116A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13541206

申请日：2012-07-03

申请人： Jeanne Spadinger Cavuoti ,  Donald A. Clark ,  Sean Matthew Garner ,  Gregory Scott Glaesemann ,  Jun Hou ,  Jum Sik Kim ,  Toshihiko Ono ,  Daniel Arthur Sternquist

发明人： Jeanne Spadinger Cavuoti ,  Donald A. Clark ,  Sean Matthew Garner ,  Gregory Scott Glaesemann ,  Jun Hou ,  Jum Sik Kim ,  Toshihiko Ono ,  Daniel Arthur Sternquist

IPC分类号： C03C15/02 ,  H01L33/58

CPC分类号： H01L27/1262 ,  C03C15/02 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/02019 ,  H01L33/58 ,  Y10T428/1095

摘要： Disclosed are controlled chemical etching processes used to modify the geometry of surface flaws in thin glass substrates and glass substrate assemblies formed therefrom, and in particular glass substrates suitable for the manufacture of active matrix displays that are essentially free of alkali metal oxides such as Na2O, K2O and Li2O.

摘要翻译： 公开了用于改变由其形成的薄玻璃基板和玻璃基板组件中的表面缺陷的几何形状的受控化学蚀刻工艺，特别是适用于制造基本上不含碱金属氧化物如Na 2 O， K2O和Li2O。